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Tecnologia epitassia a bassa temperatura a base di GAN27 2024-08

Tecnologia epitassia a bassa temperatura a base di GAN

Questo articolo descrive principalmente la tecnologia epitassiale a bassa temperatura a bassa temperatura a base di GAN, compresa la struttura cristallina dei materiali a base di GAN, 3. Requisiti tecnologici epitassiali e soluzioni di implementazione, i vantaggi della tecnologia epitassiale a bassa temperatura basata sui principi PVD e le prospettive di sviluppo della tecnologia epitassiale a bassa temperatura.
Qual è la differenza tra CVD TAC e SINTERED TAC?26 2024-08

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Questo articolo introduce innanzitutto la struttura molecolare e le proprietà fisiche di TAC e si concentra sulle differenze e le applicazioni del carburo di tantalum sinterizzato e in carburo di tantalum CVD, nonché i popolari prodotti TAC di Vetek Semiconductor.
Come preparare il rivestimento CVD TAC? - Veteksemicon23 2024-08

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