Processo RTA/RTP

VeTek Semiconductor fornisce un supporto per wafer di processo RTA/RTP, realizzato in grafite ad elevata purezza e rivestimento SiC conimpurità inferiore a 5 ppm.

Il forno di ricottura rapida è un tipo di attrezzatura per il trattamento di ricottura dei materiali eProcesso RTA/RTP, controllando il processo di riscaldamento e raffreddamento del materiale, può migliorare la struttura cristallina del materiale, ridurre lo stress interno e migliorare le proprietà meccaniche e fisiche del materiale. Uno dei componenti principali nella camera del forno di ricottura rapida è il supporto wafer/ricevitore per waferper caricare i wafer. Come riscaldatore per wafer nella camera di processo, questopiastra portantesvolge un ruolo importante nel trattamento di riscaldamento rapido e di equalizzazione della temperatura.

Il carburo di silicio, il nitruro di alluminio e il carburo di silicio grafite sono materiali disponibili per il forno di ricottura rapida e la scelta principale sul mercato è la grafite erivestimento in carburo di silicio come materiali. 

I seguenti sonole caratteristiche e le prestazioni eccellentidel supporto wafer di processo RTA RTP rivestito SiC di VeTek Semiconductor:

-Stabilità alle alte temperature: Il rivestimento SiC mostra un'eccezionale stabilità alle alte temperature, garantendo l'integrità della struttura e la resistenza meccanica anche a temperature estreme. Questa capacità lo rende particolarmente adatto per processi di trattamento termico impegnativi.

-Eccellente conduttività termica: Lo strato di rivestimento SiC possiede un'eccezionale conduttività termica, consentendo una distribuzione del calore rapida e uniforme. Ciò si traduce in un trattamento termico più rapido, riducendo significativamente i tempi di riscaldamento e migliorando la produttività complessiva. Migliorando l'efficienza del trasferimento di calore, contribuisce a una maggiore efficienza produttiva e a una qualità del prodotto superiore.

-Inerzia chimica: L'inerzia chimica intrinseca del carburo di silicio fornisce un'eccellente resistenza alla corrosione da parte di vari prodotti chimici. Il nostro supporto per wafer in carburo di silicio rivestito di carbonio può funzionare in modo affidabile in diversi ambienti chimici senza contaminare o danneggiare i wafer.

-Planarità della superficie: Lo strato di carburo di silicio CVD assicura una superficie altamente piana e liscia, garantendo un contatto stabile con i wafer durante il trattamento termico. Ciò elimina l'introduzione di ulteriori difetti superficiali, garantendo risultati di lavorazione ottimali.

-Leggero e ad alta resistenza: Il nostro supporto per wafer RTP rivestito in SiC è leggero ma possiede una resistenza notevole. Questa caratteristica facilita il carico e lo scarico convenienti e affidabili dei wafer.

Come utilizzare il supporto wafer RTA RTP Process:

Ricevitore wafer e coperchio del ricevitore con rivestimento SiC di VeTek Semiconductor

Ricevitore RTA RTP Porta wafer RTA RTP Vassoio RTP (per trattamento termico rapido RTA) Vassoio RTP (per trattamento termico rapido RTA) Ricevitore RTP Vassoio di supporto wafer RTP