Grafite porosa

I produttori di substrati SiC utilizzano comunemente un crogiolo con un cilindro di grafite porosa per il processo a caldo. Questo design aumenta l'area di evaporazione e il volume di carica. È stato sviluppato un nuovo processo per risolvere i difetti dei cristalli, stabilizzare il trasferimento di massa e migliorare la qualità dei cristalli SiC. Incorpora un metodo di fissaggio del vassoio in cristallo senza semi per l'espansione termica e la riduzione dello stress. Tuttavia, l’offerta limitata sul mercato di grafite per crogioli e grafite porosa pone sfide alla qualità e alla resa dei singoli cristalli di SiC.

Caratteristiche principali della grafite porosa di VeTek Semiconductor:

1. Tolleranza ambientale alle alte temperature: il prodotto può resistere a un ambiente di 2500 gradi Celsius, dimostrando un'eccellente resistenza al calore.

2. Controllo rigoroso della porosità: VeTek Semiconductor mantiene uno stretto controllo della porosità, garantendo prestazioni costanti.

3. Purezza ultra elevata: il materiale di grafite porosa utilizzato raggiunge un elevato livello di purezza attraverso rigorosi processi di purificazione.

4. Eccellente capacità di legare le particelle superficiali: VeTek Semiconductor ha un'eccellente capacità di legare le particelle superficiali e resistenza all'adesione della polvere.

5.Trasporto, diffusione e uniformità del gas - La struttura porosa della grafite facilita il trasporto e la diffusione efficienti del gas, con conseguente migliore uniformità di gas e particelle.

6. Controllo qualità e stabilità: VeTek Semiconductor enfatizza l'elevata purezza, il basso contenuto di impurità e la stabilità chimica per garantire la qualità nella crescita dei cristalli.

7. Controllo e uniformità della temperatura: la conduttività termica della grafite porosa consente una distribuzione uniforme della temperatura, riducendo stress e difetti durante la crescita.

8. Diffusione del soluto e tasso di crescita migliorati - La struttura porosa favorisce una distribuzione uniforme del soluto, migliorando il tasso di crescita e l'uniformità dei cristalli.