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Polvere SiC ad elevata purezza

VeTek Semiconductor è un pioniere del settore specializzato nello sviluppo, produzione e commercializzazione di polvere SiC ad elevata purezza, nota per la sua elevatissima purezza, distribuzione uniforme delle dimensioni delle particelle e eccellente struttura cristallina. L'azienda dispone di un team di ricerca e sviluppo composto da esperti senior per promuovere costantemente l'innovazione tecnologica. Con tecnologie e attrezzature di produzione avanzate, la purezza, la dimensione delle particelle e le prestazioni della polvere SiC ad alta purezza possono essere controllate accuratamente. Il rigoroso controllo di qualità garantisce che ogni lotto soddisfi gli standard di settore più esigenti, fornendo un materiale di base stabile e affidabile per le vostre applicazioni di fascia alta.


Vantaggi della polvere SiC ad elevata purezza di VeTek Semiconductor:

1. Elevata purezza: il contenuto di SiC è del 99,9999%, il contenuto di impurità è molto basso, il che riduce l'impatto negativo sulle prestazioni dei semiconduttori e dei dispositivi fotovoltaici e migliora la consistenza e l'affidabilità dei prodotti.

2. Eccellenti proprietà fisiche: tra cui elevata durezza, elevata resistenza ed elevata resistenza all'usura, in modo che possa mantenere una buona stabilità strutturale durante la lavorazione e l'uso.

3. Elevata conduttività termica: può condurre rapidamente il calore, contribuire a migliorare l'efficienza di dissipazione del calore del dispositivo, ridurre la temperatura operativa, prolungando così la durata del dispositivo.

4. Basso coefficiente di espansione: la variazione dimensionale è piccola al variare della temperatura, riducendo la fessurazione del materiale o il calo delle prestazioni causato dall'espansione e contrazione termica.

5. Buona stabilità chimica: resistenza alla corrosione acida e alcalina, può rimanere stabile in un ambiente chimico complesso.

6. Caratteristiche di ampio gap di banda: con elevata intensità del campo elettrico di rottura e velocità di deriva della saturazione degli elettroni, adatto per la produzione di dispositivi a semiconduttore ad alta temperatura, alta pressione, alta frequenza e alta potenza.

7. Elevata mobilità degli elettroni: favorisce il miglioramento della velocità di lavoro e dell'efficienza dei dispositivi a semiconduttore.

8. Protezione ambientale: inquinamento relativamente piccolo dell'ambiente nel processo di produzione e utilizzo.


La polvere SiC ad elevata purezza ha le seguenti applicazioni nei settori dei semiconduttori e del fotovoltaico:

Industria dei semiconduttori:

- Materiale del substrato: la polvere SiC ad alta purezza può essere utilizzata per produrre un substrato di carburo di silicio, che può essere utilizzato per produrre dispositivi di potenza ad alta frequenza, alta temperatura, alta pressione e dispositivi RF.

Crescita epitassiale: nel processo di produzione dei semiconduttori, la polvere di carburo di silicio ad elevata purezza può essere utilizzata come materia prima per la crescita epitassiale, che viene utilizzata per far crescere strati epitassiali di carburo di silicio di alta qualità sul substrato.

-Materiali di imballaggio: la polvere di carburo di silicio ad alta purezza può essere utilizzata per produrre materiali di imballaggio per semiconduttori per migliorare le prestazioni di dissipazione del calore e l'affidabilità del pacchetto.

Industria fotovoltaica:

Celle in silicio cristallino: nel processo di produzione delle celle in silicio cristallino, la polvere di carburo di silicio ad elevata purezza può essere utilizzata come fonte di diffusione per la formazione di giunzioni p-n.

- Batteria a film sottile: nel processo di produzione della batteria a film sottile, la polvere di carburo di silicio ad elevata purezza può essere utilizzata come bersaglio per la deposizione sputtering della pellicola di carburo di silicio.


Specifiche della polvere di carburo di silicio
Purezza g/cm3 99.9999
Densità 15.15-15.20 15.15-15.20
Modulo elastico GP 400-450
Durezza HV(0,3) Kg/mm2 2300-2850
Dimensione delle particelle maglia 200~25000
Resistenza alla frattura MPa.m1/2 3.5-4.3
Resistività elettrica ohm-cm 100-107


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