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Epitassia del silicio

L'epitassia del silicio, EPI, epitassia, epitassiale si riferisce alla crescita di uno strato di cristallo con la stessa direzione cristallina e diverso spessore cristallino su un singolo substrato di silicio cristallino. La tecnologia di crescita epitassiale è necessaria per la produzione di componenti discreti semiconduttori e circuiti integrati, poiché le impurità contenute nei semiconduttori includono il tipo N e il tipo P. Attraverso una combinazione di diversi tipi, i dispositivi a semiconduttore presentano una varietà di funzioni.


Il metodo di crescita dell'epitassia del silicio può essere suddiviso in epitassia in fase gassosa, epitassia in fase liquida (LPE), epitassia in fase solida, il metodo di crescita con deposizione di vapore chimico è ampiamente utilizzato nel mondo per soddisfare l'integrità del reticolo.


L'apparecchiatura epitassiale tipica del silicio è rappresentata dalla società italiana LPE, che dispone di un tor ipnotico epitassiale pancake, un tor ipnotico di tipo barile, un tor ipnotico a semiconduttore, un supporto per wafer e così via. Il diagramma schematico della camera di reazione dell'ipelettore epitassiale a forma di botte è il seguente. VeTek Semiconductor può fornire un hy pelettore epitassiale con wafer a forma di barile. La qualità del pannello HY rivestito in SiC è molto matura. Qualità equivalente a SGL; Allo stesso tempo, VeTek Semiconductor può anche fornire ugelli al quarzo con cavità di reazione epitassiale in silicio, deflettori al quarzo, campane di vetro e altri prodotti completi.


Suscettore epitassiale verticale per epitassia al silicio:


Schematic diagram of Vertical Epitaxial Susceptor for Silicon Epitaxy


I principali prodotti suscettore epitassiale verticale di VeTek Semiconductor


SiC Coated Graphite Barrel Susceptor for EPI Suscettore a barilotto in grafite rivestito in SiC per EPI SiC Coated Barrel Susceptor Suscettore cilindrico rivestito in SiC CVD SiC Coated Barrel Susceptor Suscettore a barilotto rivestito in SiC CVD LPE SI EPI Susceptor Set Set di recettori LPE SI EPI



Suscettore epitassiale orizzontale per epitassia al silicio:


Schematic diagram of Horizontal Epitaxial Susceptor for Silicon Epitaxy


I principali prodotti suscettore epitassiale orizzontale di Vetek Semiconductor


SiC coating Monocrystalline silicon epitaxial tray Rivestimento SiC Vassoio epitassiale in silicio monocristallino SiC Coated Support for LPE PE2061S Supporto rivestito in SiC per LPE PE2061S Graphite Rotating Susceptor Ricevitore rotante in grafite



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SIC rivestimento monocristallino silicio vassoio epitassiale

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Il rivestimento monocristallino del silicio SIC è un accessorio importante per la fornace di crescita epitassiale del silicio monocristallino, garantendo un inquinamento minimo e un ambiente di crescita epitassiale stabile. VETEK Semiconductor Il rivestimento del silicio monocristallino di Vetek Semiconductor ha una durata di un servizio ultra-lungo e offre una varietà di opzioni di personalizzazione. Vetek Semiconductor non vede l'ora di diventare il tuo partner a lungo termine in Cina.
Susoce del barile di rivestimento CVD SIC

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VETEK Semiconductor CVD SIC SUSTCTOR COUNT COUNT è il componente principale della fornace epitassiale di tipo a canna. Con l'aiuto del suscettore a botte di rivestimento CVD SIC, la quantità e la qualità della crescita epitassiale sono molto impigliati nel livello di World. Semiconductor non vede l'ora di stabilire una stretta relazione cooperativa con te nel settore dei semiconduttori.
Supporto rotante in grafite

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Il suscettore a rotazione di grafite ad alta purezza svolge un ruolo importante nella crescita epitassiale del nitruro di gallio (processo MOCVD). Vetek Semiconductor è uno dei principali produttori di suscettori a rotazione in grafite e fornitore in Cina. Abbiamo sviluppato molti prodotti di grafite ad alta purezza basati su materiali di grafite ad alta purezza, che soddisfano completamente i requisiti del settore dei semiconduttori. Vetek Semiconductor non vede l'ora di diventare il tuo partner nel suscettore a rotazione di grafite.
Suscettore CVD Sic Pancake

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Come produttore leader e innovatore dei prodotti Sic Pancake SIC CVD in Cina. VETEK Semiconductor CVD SIC SUSCTOR PANCIAKE, come componente a forma di disco progettato per apparecchiature a semiconduttore, è un elemento chiave per supportare sottili wafer a semiconduttore durante la deposizione epitassiale ad alta temperatura. Vetek Semiconductor si impegna a fornire prodotti di suscitatore di pancake SIC di alta qualità e diventare il tuo partner a lungo termine in Cina a prezzi competitivi.
Suscettore a botte rivestito di CVD SIC

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Vetek Semiconductor è un produttore leader e innovatore del suscettore di grafite rivestito in CVD in Cina. Il nostro suscettore a botte rivestito CVD SIC svolge un ruolo chiave nel promuovere la crescita epitassiale di materiali a semiconduttore sui wafer con le sue eccellenti caratteristiche del prodotto. Benvenuti nella tua ulteriore consultazione.
Epi Supporter

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Il suscettore EPI è progettato per le esigenti applicazioni di apparecchiature epitassiali. La sua struttura di grafite rivestita in carburo di silicio ad alta purezza (SIC) offre un'eccellente resistenza al calore, uniforme uniformità termica per lo spessore e la resistenza dello strato epitassiale coerente e la resistenza chimica a lungo termine. Non vediamo l'ora di cooperare con te.
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