Un suscettore in grafite rivestito in SiC per ASM non è solo una parte di ricambio all'interno di un sistema epitassia. È un vettore critico per il processo che influenza l'uniformità termica, la pulizia del wafer, la durata del rivestimento, la stabilità della camera e i costi di produzione a lungo termine.
Una copertura di rivestimento CVD TaC non è solo un coperchio protettivo o un componente rivestito in grafite. Nei processi con semiconduttori ad alta temperatura, può influenzare la pulizia della camera, la stabilità termica, la durata delle parti e la coerenza del processo.
Nella produzione PECVD, molti problemi di rivestimento e deposizione non iniziano con la potenza del plasma o la chimica del gas. Iniziano con il supporto che contiene i wafer.
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