Notizia

Diamond, un potenziale "Ultimate Semiconductor" di quarta generazione, sta attirando l'attenzione nei substrati a semiconduttore a causa della sua eccezionale durezza, conducibilità termica e proprietà elettriche. Mentre le sue sfide ad alto costo e produzione ne limitano l'uso, CVD è il metodo preferito. Nonostante il doping e le sfide di cristallo di grandi aree, Diamond è promettente.

SiC e GaN sono semiconduttori ad ampio gap di banda con vantaggi rispetto al silicio, come tensioni di rottura più elevate, velocità di commutazione più elevate ed efficienza superiore. Il SiC è migliore per le applicazioni ad alta tensione e potenza grazie alla sua maggiore conduttività termica, mentre il GaN eccelle nelle applicazioni ad alta frequenza grazie alla sua mobilità elettronica superiore.

L'evaporazione con fascio di elettroni è un metodo di rivestimento altamente efficiente e ampiamente utilizzato rispetto al riscaldamento a resistenza, che riscalda il materiale di evaporazione con un fascio di elettroni, facendolo vaporizzare e condensare in una pellicola sottile.