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Tra le tecnologie disponibili, il forno di crescita dei cristalli SiC con riscaldamento a resistenza di grandi dimensioni è emerso come una soluzione fondamentale per la produzione di cristalli SiC di grande diametro e a basso difetto con consistenza ed efficienza migliorate. Questo articolo esplora come funziona questa tecnologia, i suoi vantaggi, le applicazioni e perché i leader del settore si affidano alle soluzioni innovative di Veteksemi.

Un suscettore in grafite rivestito in SiC per ASM non è solo una parte di ricambio all'interno di un sistema epitassia. È un vettore critico per il processo che influenza l'uniformità termica, la pulizia del wafer, la durata del rivestimento, la stabilità della camera e i costi di produzione a lungo termine.

Una copertura di rivestimento CVD TaC non è solo un coperchio protettivo o un componente rivestito in grafite. Nei processi con semiconduttori ad alta temperatura, può influenzare la pulizia della camera, la stabilità termica, la durata delle parti e la coerenza del processo.