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Liquame lucidante CMP
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Liquame lucidante CMP

Il liquame di lucidatura CMP (Chemical Mechanical Polishing Slurry) è un materiale ad alte prestazioni utilizzato nella produzione di semiconduttori e nella lavorazione di materiali di precisione. La sua funzione principale è quella di ottenere una planarità fine e una lucidatura della superficie del materiale sotto l'effetto sinergico della corrosione chimica e della macinazione meccanica per soddisfare i requisiti di planarità e qualità della superficie a livello nanometrico. In attesa di una vostra ulteriore consultazione.

L'impasto di lucidatura CMP di Veteksemicon viene utilizzato principalmente come abrasivo di lucidatura nell'impasto di lucidatura chimico-meccanica CMP per la planarizzazione di materiali semiconduttori. Presenta i seguenti vantaggi:

Diametro delle particelle e grado di aggregazione delle particelle liberamente regolabili;
Le particelle sono monodisperse e la distribuzione granulometrica è uniforme;
Il sistema di dispersione è stabile;
La scala di produzione di massa è ampia e la differenza tra i lotti è ridotta;
Non è facile condensare e sistemare.


Indicatori di prestazione per i prodotti della serie a purezza ultraelevata

Parametro
Unitàà
Indicatori di prestazione per i prodotti della serie a purezza ultraelevata

UPXY-1
UPXY-2
UPXY-3
UPXY-4
UPXY-5
UPXY-6
UPXY-7
Dimensione media delle particelle di silice
nm
35±5
45±5
65±5
75±5
85±5
100±5
120±5
Distribuzione dimensionale delle nanoparticelle (PDI)
1 <0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
pH della soluzione
1 7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
7.2-7.4
Contenuto solido
% 20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
20,5±0,5
Aspetto
--
Azzurro
Blu
Bianco
Bianco
Bianco
Bianco
Bianco
Morfologia delle particelle X
X:S- sferico;B- Curvo;P- A forma di arachide;T- Bulboso;C- A catena (stato aggregato)
Ioni stabilizzanti
Ammine organiche/inorganiche
Composizione della materia prima Y
Y:M-TMOS;E-TEOS;ME-TMOS+TEOS;EM-TEOS+TMOS
Contenuto di impurità metalliche
≤ 300ppb


Specifiche prestazionali per i prodotti della serie ad elevata purezza

Parametro
Unitàà
Specifiche prestazionali per i prodotti della serie ad elevata purezza
WGXY-1Z WGXY-2Z
WGXY-3Z
WGXY-4Z
WGXY-5Z
WGXY-6Z
WGXY-7Z
Dimensione media delle particelle di silice
nm
35±5
45±5
65±5
75±5
85±5
100±5
120±5
Distribuzione dimensionale delle nanoparticelle (PDI)
1 <0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
<0,15
pH della soluzione
1 90,5±0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
9,5±0,2
Contenuto solido
% 30-40 30-40
30-40
30-40
30-40
30-40
30-40
Aspetto
--
Azzurro
Blu
Bianco
Bianco
Bianco
Bianco
Bianco
Morfologia delle particelle X
X:S- sferico;B- Curvo;P- A forma di arachide;T- Bulboso;C- A catena (stato aggregato)
Ioni stabilizzanti
M: ammina organica; K: idrossido di potassio; N: idrossido di sodio; o altri componenti
Contenuto di impurità metalliche
Z: Serie ad elevata purezza (Serie H ≤ 1 ppm; Serie L ≤ 10 ppm); Serie standard (Serie M ≤ 300 ppm)

Applicazioni del prodotto per liquami di lucidatura CMP:


● Materiali ILD per circuiti integrati CMP

● Circuito integrato materiali Poly-Si CMP

● Materiali wafer di silicio semiconduttore monocristallino CMP

● Materiali semiconduttori in carburo di silicio CMP

● Circuito integrato STI materiali CMP

● Circuiti integrati metallici e materiali per strati barriera metallici CMP


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