Notizia

Durante il processo di crescita epitassiale SIC, può verificarsi insufficienza di sospensione della grafite rivestita SIC. Questo documento conduce un'analisi rigorosa del fenomeno di fallimento della sospensione di grafite rivestita di SiC, che include principalmente due fattori: insufficienza di gas epitassiale SIC e fallimento del rivestimento SIC.

Questo articolo discute principalmente i rispettivi vantaggi del processo e le differenze del processo di epitassia del fascio molecolare e delle tecnologie di deposizione di vapore chimico metallo-organico.

Il carburo di Tantalum poroso di Vetek Semiconductor, come nuova generazione di materiale di crescita cristallina SIC, ha molte eccellenti proprietà del prodotto e svolge un ruolo chiave in una varietà di tecnologie di elaborazione dei semiconduttori.