Novità del settore

Il carburo di silicio è uno dei materiali ideali per produrre dispositivi ad alta temperatura, ad alta frequenza, ad alta potenza e ad alta tensione. Al fine di migliorare l'efficienza della produzione e ridurre i costi, la preparazione di substrati in carburo di silicio di grandi dimensioni è una direzione di sviluppo importante.

Secondo Overseas News, due fonti hanno rivelato il 24 giugno che Bytedance sta lavorando con la società di progettazione di chip statunitense Broadcom per sviluppare un processore di informatica Avanced Artificial Intelligence (AI), che aiuterà a garantire un'adeguata offerta di chip di fascia alta tra le tensioni tra le tensioni tra la Cina e gli Stati Uniti.

In qualità di produttore leader nel settore SiC, le dinamiche correlate di Sanan Optoelectronics hanno ricevuto un'attenzione diffusa nel settore. Recentemente, Sanan Optoelectronics ha rivelato una serie di sviluppi più recenti, tra cui la trasformazione da 8 pollici, la produzione in fabbrica di nuovi substrati, la creazione di nuove società, sussidi governativi e altri aspetti.

Nella crescita dei singoli cristalli di SiC e AlN utilizzando il metodo del trasporto fisico del vapore (PVT), componenti cruciali come il crogiolo, il supporto del seme e l'anello di guida svolgono un ruolo vitale. Come illustrato nella Figura 2 [1], durante il processo PVT, il cristallo seme è posizionato nella regione a temperatura più bassa, mentre la materia prima SiC è esposta a temperature più elevate (superiori a 2400 ℃).