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Novità del settore

Ricetta di deposizione di strati atomici ALD27 2024-07

Ricetta di deposizione di strati atomici ALD

ALD spaziale, deposizione di strato atomico isolato spazialmente. Il wafer si sposta tra diverse posizioni ed è esposto a diversi precursori in ciascuna posizione. La figura seguente è un confronto tra ALD tradizionale e ALD spazialmente isolato.
Brabide Technology di Tantalum, inquinamento epitassiale SIC ridotto del 75%?27 2024-07

Brabide Technology di Tantalum, inquinamento epitassiale SIC ridotto del 75%?

Di recente, il tedesco dell'Istituto di ricerca Fraunhofer IISB ha fatto una svolta nella ricerca e nello sviluppo della tecnologia di rivestimento in carburo di TantaLum e ha sviluppato una soluzione di rivestimento a spruzzo più flessibile e rispettosa dell'ambiente rispetto alla soluzione di deposizione CVD ed è stata commercializzata.
Applicazione esplorativa della tecnologia di stampa 3D nel settore dei semiconduttori19 2024-07

Applicazione esplorativa della tecnologia di stampa 3D nel settore dei semiconduttori

In un’era di rapido sviluppo tecnologico, la stampa 3D, in quanto importante rappresentante della tecnologia di produzione avanzata, sta gradualmente cambiando il volto della produzione tradizionale. Con la continua maturità della tecnologia e la riduzione dei costi, la tecnologia di stampa 3D ha mostrato ampie prospettive di applicazione in molti campi come quello aerospaziale, della produzione automobilistica, delle apparecchiature mediche e della progettazione architettonica, e ha promosso l’innovazione e lo sviluppo di questi settori.
Tecnologia di preparazione dell'epitassia del silicio (Si).16 2024-07

Tecnologia di preparazione dell'epitassia del silicio (Si).

I materiali monocristallini da soli non possono soddisfare le esigenze della crescente produzione di vari dispositivi a semiconduttore. Alla fine del 1959 fu sviluppato uno strato sottile di tecnologia di crescita del materiale monocristallino: crescita epitassiale.
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