Novità del settore

Il rivestimento CVD TAC è un processo per formare un rivestimento denso e durevole su un substrato (grafite). Questo metodo prevede il deposito di TaC sulla superficie del substrato ad alte temperature, ottenendo un rivestimento in carburo di tantalio (TaC) con eccellente stabilità termica e resistenza chimica.

Man mano che il processo in carburo di silicio da 8 pollici (SIC) matura, i produttori stanno accelerando il passaggio da 6 pollici a 8 pollici. Di recente, su Semiconductor e Resonac hanno annunciato aggiornamenti sulla produzione SIC da 8 pollici.

Questo articolo presenta gli ultimi sviluppi del reattore CVD a pareti calde PE1O8 di nuova concezione dell'azienda italiana LPE e la sua capacità di eseguire un'epitassia 4H-SiC uniforme su SiC da 200 mm.

Con la crescente domanda di materiali SiC nell'elettronica di potenza, nell'optoelettronica e in altri campi, lo sviluppo della tecnologia di crescita del cristallo singolo SiC diventerà un'area chiave dell'innovazione scientifica e tecnologica. Essendo il nucleo delle apparecchiature per la crescita del singolo cristallo SiC, la progettazione del campo termico continuerà a ricevere ampia attenzione e ricerca approfondita.

Attraverso il progresso tecnologico continuo e la ricerca sul meccanismo approfondito, la tecnologia eteroepitassiale 3C-SIC dovrebbe svolgere un ruolo più importante nel settore dei semiconduttori e promuovere lo sviluppo di dispositivi elettronici ad alta efficienza.

ALD spaziale, deposizione di strato atomico isolato spazialmente. Il wafer si sposta tra diverse posizioni ed è esposto a diversi precursori in ciascuna posizione. La figura seguente è un confronto tra ALD tradizionale e ALD spazialmente isolato.