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I metodi principali per i singoli cristalli SIC in crescita sono: trasporto di vapore fisico (PVT), deposizione di vapore chimico ad alta temperatura (HTCVD) e crescita della soluzione ad alta temperatura (HTSG).

Con lo sviluppo dell'industria solare fotovoltaica, i forni di diffusione e i forni LPCVD sono le principali attrezzature per la produzione di celle solari, che influenzano direttamente le prestazioni efficienti delle celle solari. Sulla base delle prestazioni complete del prodotto e dei costi di utilizzo, i materiali ceramici in carburo di silicio presentano maggiori vantaggi nel campo delle celle solari rispetto ai materiali al quarzo. L'applicazione di materiali ceramici in carburo di silicio nell'industria fotovoltaica può aiutare notevolmente le imprese fotovoltaiche a ridurre i costi di investimento dei materiali ausiliari, migliorare la qualità e la competitività del prodotto. La tendenza futura dei materiali ceramici in carburo di silicio nel campo fotovoltaico è principalmente verso una maggiore purezza, una maggiore capacità di carico, una maggiore capacità di carico e un costo inferiore.

L'articolo analizza le sfide specifiche affrontate dal processo di rivestimento CVD TaC per la crescita del singolo cristallo SiC durante la lavorazione dei semiconduttori, come il controllo della fonte e della purezza del materiale, l'ottimizzazione dei parametri di processo, l'adesione del rivestimento, la manutenzione delle apparecchiature e la stabilità del processo, la protezione dell'ambiente e il controllo dei costi, come così come le corrispondenti soluzioni di settore.

Dal punto di vista dell'applicazione della crescita del singolo cristallo SIC, questo articolo confronta i parametri fisici di base del rivestimento TAC e del rivestimento SIC e spiega i vantaggi di base del rivestimento TAC sul rivestimento SIC in termini di resistenza ad alta temperatura, forte stabilità chimica, impurità ridotte e ridotte Costi inferiori.

Esistono molti tipi di apparecchiature di misurazione nella fabbrica Fab. L'attrezzatura comune include apparecchiature di misurazione del processo di litografia, apparecchiature di misurazione del processo di incisione, apparecchiature di misurazione del processo di deposizione del film sottile, apparecchiature di misurazione del processo di doping, apparecchiature di misurazione del processo CMP, apparecchiature di rilevamento delle particelle di wafer e altre apparecchiature di misurazione.

Il rivestimento in carburo di tantalio (TaC) può prolungare significativamente la durata delle parti in grafite migliorando la resistenza alle alte temperature, la resistenza alla corrosione, le proprietà meccaniche e le capacità di gestione termica. Le sue caratteristiche di elevata purezza riducono la contaminazione da impurità, migliorano la qualità della crescita dei cristalli e migliorano l'efficienza energetica. È adatto per la produzione di semiconduttori e applicazioni di crescita dei cristalli in ambienti ad alta temperatura e altamente corrosivi.