Novità del settore

La tecnologia di attacco nella produzione di semiconduttori incontra spesso problemi come l'effetto di carico, l'effetto della micro-grove e l'effetto di ricarica, che influenzano la qualità del prodotto. Le soluzioni di miglioramento includono l'ottimizzazione della densità del plasma, la regolazione della composizione del gas di reazione, il miglioramento dell'efficienza del sistema del vuoto, la progettazione di un layout di litografia ragionevole e la selezione di materiali di maschera e processo di incisione appropriati.

La sinterizzazione a caldo è il metodo principale per preparare ceramiche SIC ad alte prestazioni. Il processo di sinterizzazione a caldo include: selezione di polvere SIC ad alta purezza, pressatura e modanatura ad alta temperatura e alta pressione e quindi sinterizzazione. Le ceramiche SIC preparate con questo metodo hanno i vantaggi di alta purezza e alta densità e sono ampiamente utilizzate nei dischi di macinazione e nelle apparecchiature per il trattamento del calore per l'elaborazione dei wafer.

I metodi di crescita chiave del silicio in carburo (SIC) includono PVT, TSSG e HTCVD, ciascuno con distinti vantaggi e sfide. Materiali di campo termico a base di carbonio come sistemi di isolamento, crogioli, rivestimenti TAC e grafite porosa migliorano la crescita dei cristalli fornendo stabilità, conducibilità termica e purezza, essenziali per la fabbricazione e l'applicazione precisa di SIC.

SIC ha un'elevata durezza, conducibilità termica e resistenza alla corrosione, rendendolo ideale per la produzione di semiconduttori. Il rivestimento SIC CVD viene creato attraverso la deposizione di vapore chimico, fornendo alta conducibilità termica, stabilità chimica e una costante reticolare corrispondente per la crescita epitassiale. La sua bassa espansione termica e alta durezza garantiscono la durata e la precisione, rendendolo essenziale in applicazioni come portatori di wafer, anelli di preriscaldamento e altro ancora. Vetek Semiconductor è specializzato in rivestimenti SIC personalizzati per diverse esigenze del settore.

Il carburo di silicio (SIC) è un materiale a semiconduttore ad alta precisione noto per le sue eccellenti proprietà come la resistenza ad alta temperatura, la resistenza alla corrosione e l'elevata resistenza meccanica. Ha oltre 200 strutture cristalline, con 3C-SIC che è l'unico tipo cubico, che offre sfericità naturale e densificazione superiori rispetto ad altri tipi. 3C-SIC si distingue per la sua alta mobilità elettronica, rendendolo ideale per i MOSFET nell'elettronica di alimentazione. Inoltre, mostra un grande potenziale in nanoelettronica, LED blu e sensori.

Diamond, un potenziale "Ultimate Semiconductor" di quarta generazione, sta attirando l'attenzione nei substrati a semiconduttore a causa della sua eccezionale durezza, conducibilità termica e proprietà elettriche. Mentre le sue sfide ad alto costo e produzione ne limitano l'uso, CVD è il metodo preferito. Nonostante il doping e le sfide di cristallo di grandi aree, Diamond è promettente.

SiC e GaN sono semiconduttori ad ampio gap di banda con vantaggi rispetto al silicio, come tensioni di rottura più elevate, velocità di commutazione più elevate ed efficienza superiore. Il SiC è migliore per le applicazioni ad alta tensione e potenza grazie alla sua maggiore conduttività termica, mentre il GaN eccelle nelle applicazioni ad alta frequenza grazie alla sua mobilità elettronica superiore.

L'evaporazione con fascio di elettroni è un metodo di rivestimento altamente efficiente e ampiamente utilizzato rispetto al riscaldamento a resistenza, che riscalda il materiale di evaporazione con un fascio di elettroni, facendolo vaporizzare e condensare in una pellicola sottile.

Il rivestimento a vuoto comprende la vaporizzazione del materiale del film, il trasporto del vuoto e la crescita del film sottile. Secondo i diversi metodi di vaporizzazione del materiale del film e i processi di trasporto, il rivestimento del vuoto può essere diviso in due categorie: PVD e CVD.

Questo articolo descrive i parametri fisici e le caratteristiche del prodotto della grafite porosa di VeTek Semiconductor, nonché le sue applicazioni specifiche nella lavorazione dei semiconduttori.

Questo articolo analizza le caratteristiche del prodotto e gli scenari di applicazione del rivestimento in carburo di Tantalum e del rivestimento in carburo di silicio da molteplici prospettive.

La deposizione di film sottile è vitale nella produzione di chip, creando micro dispositivi depositando pellicole a meno di 1 micron di spessore tramite CVD, ALD o PVD. Questi processi creano componenti a semiconduttore attraverso film conduttivi e isolanti alternati.

Il processo di produzione di semiconduttori prevede otto passaggi: elaborazione del wafer, ossidazione, litografia, incisione, deposizione di film sottile, interconnessione, test e imballaggi. Il silicio dalla sabbia viene elaborato in wafer, ossidato, modellato e inciso per circuiti ad alta precisione.

Questo articolo descrive che il substrato a LED è la più grande applicazione di zaffiro, nonché i principali metodi per preparare i cristalli di zaffiro: crescere cristalli di zaffiro con il metodo Czocralski, coltivando cristalli di zaffiro con il metodo Kyropulos, coltivando i cristalli di zaffiro mediante il metodo guidato e coltivando i cristalli di zaffiro mediante il metodo di scambio di calore.

L'articolo spiega il gradiente di temperatura in una fornace a cristallo singolo. Copre i campi di calore statici e dinamici durante la crescita dei cristalli, l'interfaccia solida-liquida e il ruolo del gradiente di temperatura nella solidificazione.

Il processo Taiko tocca i wafer di silicio che utilizzano i suoi principi, i vantaggi tecnici e le origini del processo.