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Come risolvere il problema delle crepe da sinterizzazione nella ceramica al carburo di silicio? - Semiconduttore VeTek29 2024-10

Come risolvere il problema delle crepe da sinterizzazione nella ceramica al carburo di silicio? - Semiconduttore VeTek

Questo articolo descrive principalmente le ampie prospettive applicative della ceramica al carburo di silicio. Si concentra inoltre sull'analisi delle cause delle crepe da sinterizzazione nelle ceramiche in carburo di silicio e sulle soluzioni corrispondenti.
I problemi nel processo di incisione24 2024-10

I problemi nel processo di incisione

La tecnologia di attacco nella produzione di semiconduttori incontra spesso problemi come l'effetto di carico, l'effetto della micro-grove e l'effetto di ricarica, che influenzano la qualità del prodotto. Le soluzioni di miglioramento includono l'ottimizzazione della densità del plasma, la regolazione della composizione del gas di reazione, il miglioramento dell'efficienza del sistema del vuoto, la progettazione di un layout di litografia ragionevole e la selezione di materiali di maschera e processo di incisione appropriati.
Cos'è la ceramica Sic pressata a caldo?24 2024-10

Cos'è la ceramica Sic pressata a caldo?

La sinterizzazione a caldo è il metodo principale per preparare ceramiche SIC ad alte prestazioni. Il processo di sinterizzazione a caldo include: selezione di polvere SIC ad alta purezza, pressatura e modanatura ad alta temperatura e alta pressione e quindi sinterizzazione. Le ceramiche SIC preparate con questo metodo hanno i vantaggi di alta purezza e alta densità e sono ampiamente utilizzate nei dischi di macinazione e nelle apparecchiature per il trattamento del calore per l'elaborazione dei wafer.
Applicazione di materiali per campi termici a base di carbonio nella crescita dei cristalli di carburo di silicio21 2024-10

Applicazione di materiali per campi termici a base di carbonio nella crescita dei cristalli di carburo di silicio

I metodi di crescita chiave del silicio in carburo (SIC) includono PVT, TSSG e HTCVD, ciascuno con distinti vantaggi e sfide. Materiali di campo termico a base di carbonio come sistemi di isolamento, crogioli, rivestimenti TAC e grafite porosa migliorano la crescita dei cristalli fornendo stabilità, conducibilità termica e purezza, essenziali per la fabbricazione e l'applicazione precisa di SIC.
Perché il rivestimento SIC riceve così tanta attenzione? - VETEK Semiconductor17 2024-10

Perché il rivestimento SIC riceve così tanta attenzione? - VETEK Semiconductor

SIC ha un'elevata durezza, conducibilità termica e resistenza alla corrosione, rendendolo ideale per la produzione di semiconduttori. Il rivestimento SIC CVD viene creato attraverso la deposizione di vapore chimico, fornendo alta conducibilità termica, stabilità chimica e una costante reticolare corrispondente per la crescita epitassiale. La sua bassa espansione termica e alta durezza garantiscono la durata e la precisione, rendendolo essenziale in applicazioni come portatori di wafer, anelli di preriscaldamento e altro ancora. Vetek Semiconductor è specializzato in rivestimenti SIC personalizzati per diverse esigenze del settore.
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