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Questo articolo presenta gli ultimi sviluppi del reattore CVD a pareti calde PE1O8 di nuova concezione dell'azienda italiana LPE e la sua capacità di eseguire un'epitassia 4H-SiC uniforme su SiC da 200 mm.

Con la crescente domanda di materiali SiC nell'elettronica di potenza, nell'optoelettronica e in altri campi, lo sviluppo della tecnologia di crescita del cristallo singolo SiC diventerà un'area chiave dell'innovazione scientifica e tecnologica. Essendo il nucleo delle apparecchiature per la crescita del singolo cristallo SiC, la progettazione del campo termico continuerà a ricevere ampia attenzione e ricerca approfondita.

Attraverso il progresso tecnologico continuo e la ricerca sul meccanismo approfondito, la tecnologia eteroepitassiale 3C-SIC dovrebbe svolgere un ruolo più importante nel settore dei semiconduttori e promuovere lo sviluppo di dispositivi elettronici ad alta efficienza.

ALD spaziale, deposizione di strato atomico isolato spazialmente. Il wafer si sposta tra diverse posizioni ed è esposto a diversi precursori in ciascuna posizione. La figura seguente è un confronto tra ALD tradizionale e ALD spazialmente isolato.