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La principale differenza tra epitassia e deposizione di strati atomici (ALD) risiede nei loro meccanismi di crescita del film e condizioni operative. L'epitassia si riferisce al processo di crescita di un film sottile cristallino su un substrato cristallino con una relazione di orientamento specifica, mantenendo la stessa o simile struttura cristallina. Al contrario, ALD è una tecnica di deposizione che prevede l'esposizione di un substrato a diversi precursori chimici in sequenza per formare uno strato atomico a un film sottile alla volta.

Il rivestimento CVD TAC è un processo per formare un rivestimento denso e durevole su un substrato (grafite). Questo metodo prevede il deposito di TaC sulla superficie del substrato ad alte temperature, ottenendo un rivestimento in carburo di tantalio (TaC) con eccellente stabilità termica e resistenza chimica.

Man mano che il processo in carburo di silicio da 8 pollici (SIC) matura, i produttori stanno accelerando il passaggio da 6 pollici a 8 pollici. Di recente, su Semiconductor e Resonac hanno annunciato aggiornamenti sulla produzione SIC da 8 pollici.

Questo articolo presenta gli ultimi sviluppi del reattore CVD a pareti calde PE1O8 di nuova concezione dell'azienda italiana LPE e la sua capacità di eseguire un'epitassia 4H-SiC uniforme su SiC da 200 mm.