Novità del settore

Abbiamo sentito tutti quel momento di panico. La batteria del telefono è al 5%, hai pochi minuti di riserva e ogni secondo collegato sembra un'eternità. E se il segreto per porre fine a questa ansia non si trova in una chimica completamente nuova, ma nel reinventare un materiale fondamentale all'interno della batteria stessa? Per due decenni in prima linea nella tecnologia, ho visto le tendenze andare e andare. Ma il brusio intorno alla grafite porosa sembra diverso. Non è solo un passaggio incrementale; Rappresenta un cambiamento fondamentale nel modo in cui affrontiamo la progettazione di accumulo di energia.

A Vetek, abbiamo trascorso decenni a perfezionare le nostre soluzioni di grafite isotropica per le industrie che richiedono affidabilità a temperature elementari. Ci immerciamo sul perché questo materiale è una scelta migliore e come i nostri prodotti superano la concorrenza.

Avendo lavorato nel settore dei semiconduttori per oltre un decennio, capisco in prima persona come la selezione dei materiali impegnativa possa trovarsi in ambienti ad alta temperatura e ad alta potenza. Non è stato fino a quando ho incontrato il blocco SiC di Vetek che ho finalmente trovato una soluzione davvero affidabile.

Nel settore manifatturiero dei semiconduttori, poiché le dimensioni del dispositivo continuano a ridursi, la tecnologia di deposizione di materiali a film sottile ha posto sfide senza precedenti. La deposizione di strati atomici (ALD), come tecnologia di deposizione di film sottile in grado di ottenere un controllo preciso a livello atomico, è diventata una parte indispensabile della produzione di semiconduttori. Questo articolo mira a introdurre il flusso di processo e i principi di ALD per aiutare a comprendere il suo ruolo importante nella produzione avanzata di chip.

È ideale per costruire circuiti integrati o dispositivi a semiconduttore su uno strato di base cristallino perfetto. Il processo epitassia (epi) nella produzione di semiconduttori mira a depositare un sottile strato monocristallino, solitamente da circa 0,5 a 20 micron, su un substrato monocristallino. Il processo di epitassia è un passo importante nella produzione di dispositivi a semiconduttore, in particolare nella produzione di wafer di silicio.

La principale differenza tra epitassia e deposizione di strati atomici (ALD) risiede nei loro meccanismi di crescita del film e condizioni operative. L'epitassia si riferisce al processo di crescita di un film sottile cristallino su un substrato cristallino con una relazione di orientamento specifica, mantenendo la stessa o simile struttura cristallina. Al contrario, ALD è una tecnica di deposizione che prevede l'esposizione di un substrato a diversi precursori chimici in sequenza per formare uno strato atomico a un film sottile alla volta.

Il rivestimento CVD TAC è un processo per formare un rivestimento denso e durevole su un substrato (grafite). Questo metodo prevede il deposito di TaC sulla superficie del substrato ad alte temperature, ottenendo un rivestimento in carburo di tantalio (TaC) con eccellente stabilità termica e resistenza chimica.

Man mano che il processo in carburo di silicio da 8 pollici (SIC) matura, i produttori stanno accelerando il passaggio da 6 pollici a 8 pollici. Di recente, su Semiconductor e Resonac hanno annunciato aggiornamenti sulla produzione SIC da 8 pollici.

Questo articolo presenta gli ultimi sviluppi del reattore CVD a pareti calde PE1O8 di nuova concezione dell'azienda italiana LPE e la sua capacità di eseguire un'epitassia 4H-SiC uniforme su SiC da 200 mm.

Con la crescente domanda di materiali SiC nell'elettronica di potenza, nell'optoelettronica e in altri campi, lo sviluppo della tecnologia di crescita del cristallo singolo SiC diventerà un'area chiave dell'innovazione scientifica e tecnologica. Essendo il nucleo delle apparecchiature per la crescita del singolo cristallo SiC, la progettazione del campo termico continuerà a ricevere ampia attenzione e ricerca approfondita.

Attraverso il progresso tecnologico continuo e la ricerca sul meccanismo approfondito, la tecnologia eteroepitassiale 3C-SIC dovrebbe svolgere un ruolo più importante nel settore dei semiconduttori e promuovere lo sviluppo di dispositivi elettronici ad alta efficienza.

ALD spaziale, deposizione di strato atomico isolato spazialmente. Il wafer si sposta tra diverse posizioni ed è esposto a diversi precursori in ciascuna posizione. La figura seguente è un confronto tra ALD tradizionale e ALD spazialmente isolato.

Di recente, il tedesco dell'Istituto di ricerca Fraunhofer IISB ha fatto una svolta nella ricerca e nello sviluppo della tecnologia di rivestimento in carburo di TantaLum e ha sviluppato una soluzione di rivestimento a spruzzo più flessibile e rispettosa dell'ambiente rispetto alla soluzione di deposizione CVD ed è stata commercializzata.

In un’era di rapido sviluppo tecnologico, la stampa 3D, in quanto importante rappresentante della tecnologia di produzione avanzata, sta gradualmente cambiando il volto della produzione tradizionale. Con la continua maturità della tecnologia e la riduzione dei costi, la tecnologia di stampa 3D ha mostrato ampie prospettive di applicazione in molti campi come quello aerospaziale, della produzione automobilistica, delle apparecchiature mediche e della progettazione architettonica, e ha promosso l’innovazione e lo sviluppo di questi settori.

I materiali monocristallini da soli non possono soddisfare le esigenze della crescente produzione di vari dispositivi a semiconduttore. Alla fine del 1959 fu sviluppato uno strato sottile di tecnologia di crescita del materiale monocristallino: crescita epitassiale.

Il carburo di silicio è uno dei materiali ideali per produrre dispositivi ad alta temperatura, ad alta frequenza, ad alta potenza e ad alta tensione. Al fine di migliorare l'efficienza della produzione e ridurre i costi, la preparazione di substrati in carburo di silicio di grandi dimensioni è una direzione di sviluppo importante.