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La crescita del PVT in carburo di silicio (SiC) comporta un grave ciclo termico (temperatura ambiente superiore a 2200 ℃). L’enorme stress termico generato tra il rivestimento e il substrato di grafite a causa della mancata corrispondenza dei coefficienti di espansione termica (CTE) è la sfida principale che determina la durata del rivestimento e l’affidabilità dell’applicazione.

​Nel processo di crescita dei cristalli PVT al carburo di silicio (SiC), la stabilità e l'uniformità del campo termico determinano direttamente il tasso di crescita dei cristalli, la densità dei difetti e l'uniformità del materiale. Come confine del sistema, i componenti del campo termico mostrano proprietà termofisiche superficiali le cui leggere fluttuazioni sono drammaticamente amplificate in condizioni di alta temperatura, portando infine all’instabilità dell’interfaccia di crescita.

Nel processo di crescita dei cristalli di carburo di silicio (SiC) tramite il metodo Physical Vapor Transport (PVT), la temperatura estremamente elevata di 2000–2500 °C è una “arma a doppio taglio”: mentre guida la sublimazione e il trasporto dei materiali di partenza, intensifica anche drammaticamente il rilascio di impurità da tutti i materiali all’interno del sistema del campo termico, in particolare gli elementi metallici in traccia contenuti nei componenti convenzionali della zona calda di grafite. Una volta che queste impurità entrano nell'interfaccia di crescita, danneggeranno direttamente la qualità centrale del cristallo. Questo è il motivo fondamentale per cui i rivestimenti in carburo di tantalio (TaC) sono diventati una “opzione obbligatoria” piuttosto che una “scelta facoltativa” per la crescita dei cristalli PVT.