Novità del settore

Attraverso il progresso tecnologico continuo e la ricerca sul meccanismo approfondito, la tecnologia eteroepitassiale 3C-SIC dovrebbe svolgere un ruolo più importante nel settore dei semiconduttori e promuovere lo sviluppo di dispositivi elettronici ad alta efficienza.

ALD spaziale, deposizione di strato atomico isolato spazialmente. Il wafer si sposta tra diverse posizioni ed è esposto a diversi precursori in ciascuna posizione. La figura seguente è un confronto tra ALD tradizionale e ALD spazialmente isolato.

Di recente, il tedesco dell'Istituto di ricerca Fraunhofer IISB ha fatto una svolta nella ricerca e nello sviluppo della tecnologia di rivestimento in carburo di TantaLum e ha sviluppato una soluzione di rivestimento a spruzzo più flessibile e rispettosa dell'ambiente rispetto alla soluzione di deposizione CVD ed è stata commercializzata.

In un’era di rapido sviluppo tecnologico, la stampa 3D, in quanto importante rappresentante della tecnologia di produzione avanzata, sta gradualmente cambiando il volto della produzione tradizionale. Con la continua maturità della tecnologia e la riduzione dei costi, la tecnologia di stampa 3D ha mostrato ampie prospettive di applicazione in molti campi come quello aerospaziale, della produzione automobilistica, delle apparecchiature mediche e della progettazione architettonica, e ha promosso l’innovazione e lo sviluppo di questi settori.

I materiali monocristallini da soli non possono soddisfare le esigenze della crescente produzione di vari dispositivi a semiconduttore. Alla fine del 1959 fu sviluppato uno strato sottile di tecnologia di crescita del materiale monocristallino: crescita epitassiale.

Il carburo di silicio è uno dei materiali ideali per produrre dispositivi ad alta temperatura, ad alta frequenza, ad alta potenza e ad alta tensione. Al fine di migliorare l'efficienza della produzione e ridurre i costi, la preparazione di substrati in carburo di silicio di grandi dimensioni è una direzione di sviluppo importante.