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Questo blog prende "Cos'è la crescita del cristallo in carburo di silicio?" come tema e fornisce un'analisi dettagliata da quattro dimensioni: il principio della crescita cristallina in carburo di silicio, la struttura cristallina di SIC, il metodo di trasporto del vapore fisico (PVT) e la crescita del flusso del gradino per far crescere un singolo cristallo.

Questo blog prende "Qual è il processo epitassiale?" come tema e fornisce un'analisi dettagliata dalle dimensioni della panoramica dei processi epitassiali, dei tipi di epitassia, dei fattori che influenzano il processo EPI, le tecniche di crescita epitassiale, le modalità di crescita EPI e l'importanza della crescita dell'epitassia.

Con il tema di "Come ottenere una crescita cristallina di alta qualità? - Fornace di crescita cristallina SIC", questo blog conduce un'analisi dettagliata da quattro dimensioni: il principio di base della fornace di crescita del cristallo in carburo di silicio, la struttura della fornace di crescita cristallina in carburo di silicio, le difficoltà tecniche del silicio in carburante in carburo di cristallo di alta qualità.

I quattro produttori di grafite più potenti al mondo: SGL, Toyo Tanso, Tokai Carbon, Mersen e le corrispondenti aree tipiche di grafite e applicazione.

L'articolo descrive le eccellenti proprietà fisiche del feltro di carbonio, le ragioni specifiche per la scelta del rivestimento SIC e il metodo e il principio del rivestimento SIC sul feltro di carbonio. Analizza inoltre inoltre l'uso del diffrattometro a raggi X Advance D8 (XRD) per analizzare la composizione di fase del feltro di carbonio di rivestimento SIC.

I metodi principali per i singoli cristalli SIC in crescita sono: trasporto di vapore fisico (PVT), deposizione di vapore chimico ad alta temperatura (HTCVD) e crescita della soluzione ad alta temperatura (HTSG).