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L'articolo spiega il gradiente di temperatura in una fornace a cristallo singolo. Copre i campi di calore statici e dinamici durante la crescita dei cristalli, l'interfaccia solida-liquida e il ruolo del gradiente di temperatura nella solidificazione.

Il processo Taiko tocca i wafer di silicio che utilizzano i suoi principi, i vantaggi tecnici e le origini del processo.

Fornace epitassiale SIC da 8 pollici e ricerca sul processo omoepitassiale

L'articolo analizza le proprietà dei materiali dei wafer del substrato semiconduttore come silicio, GaAs, SiC e GaN

Questo articolo descrive principalmente la tecnologia epitassiale a bassa temperatura a bassa temperatura a base di GAN, compresa la struttura cristallina dei materiali a base di GAN, 3. Requisiti tecnologici epitassiali e soluzioni di implementazione, i vantaggi della tecnologia epitassiale a bassa temperatura basata sui principi PVD e le prospettive di sviluppo della tecnologia epitassiale a bassa temperatura.

Questo articolo introduce innanzitutto la struttura molecolare e le proprietà fisiche di TAC e si concentra sulle differenze e le applicazioni del carburo di tantalum sinterizzato e in carburo di tantalum CVD, nonché i popolari prodotti TAC di Vetek Semiconductor.