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Siamo lieti di condividere con voi i risultati del nostro lavoro, le novità aziendali e di fornirvi sviluppi tempestivi e condizioni di nomina e rimozione del personale.
Qual è il gradiente di temperatura del campo termico di un singolo forno di cristallo?09 2024-09

Qual è il gradiente di temperatura del campo termico di un singolo forno di cristallo?

L'articolo spiega il gradiente di temperatura in una fornace a cristallo singolo. Copre i campi di calore statici e dinamici durante la crescita dei cristalli, l'interfaccia solida-liquida e il ruolo del gradiente di temperatura nella solidificazione.
Quanto può sottile il processo Taiko produrre wafer di silicio?04 2024-09

Quanto può sottile il processo Taiko produrre wafer di silicio?

Il processo Taiko tocca i wafer di silicio che utilizzano i suoi principi, i vantaggi tecnici e le origini del processo.
Fornace epitassiale SIC da 8 pollici e ricerca sul processo omoepitassiale29 2024-08

Fornace epitassiale SIC da 8 pollici e ricerca sul processo omoepitassiale

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Wafer di substrato semiconduttore: proprietà dei materiali di silicio, GaAs, SiC e GaN28 2024-08

Wafer di substrato semiconduttore: proprietà dei materiali di silicio, GaAs, SiC e GaN

L'articolo analizza le proprietà dei materiali dei wafer del substrato semiconduttore come silicio, GaAs, SiC e GaN
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