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Un suscettore in grafite rivestito in SiC per ASM non è solo una parte di ricambio all'interno di un sistema epitassia. Si tratta di un vettore critico per il processo che influenza l'uniformità termica, la pulizia del wafer, la durata del rivestimento, la stabilità della camera e i costi di produzione a lungo termine.

Una copertura di rivestimento CVD TaC non è solo un coperchio protettivo o un componente rivestito in grafite. Nei processi con semiconduttori ad alta temperatura, può influenzare la pulizia della camera, la stabilità termica, la durata delle parti e la coerenza del processo.

Nella produzione PECVD, molti problemi di rivestimento e deposizione non iniziano con la potenza del plasma o la chimica del gas. Iniziano con il supporto che contiene i wafer.