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Rivestimento CVD SiC Suscettore epitassia
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Rivestimento CVD SiC Suscettore epitassia

Il susceptor epitassiale con rivestimento CVD SiC di VeTek Semiconductor è uno strumento di precisione progettato per la gestione e la lavorazione dei wafer semiconduttori. Questo suscettore epitassiale con rivestimento SiC svolge un ruolo fondamentale nel promuovere la crescita di film sottili, epistrati e altri rivestimenti e può controllare con precisione la temperatura e le proprietà dei materiali. Accolga favorevolmente le vostre ulteriori richieste.

Il CVD SiC Coating Epitaxy Susceptor di Veteksemicon è uno strumento di precisione progettato per la lavorazione dei wafer semiconduttori. Questo suscettore epitassiale con rivestimento SiC svolge un ruolo fondamentale nel promuovere la crescita di film sottili, epistrati e altri rivestimenti e può controllare con precisione la temperatura e le proprietà dei materiali. Accolga favorevolmente le vostre ulteriori richieste.



Di baseproprietà fisiche del rivestimento CVD SiC:

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà
Valore tipico
Struttura cristallina
FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità
3,21 g/cm³
Durezza
Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria
2~10μm
Purezza chimica
99,99995%
Capacità termica
640 J·kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione
2700 ℃
Resistenza alla flessione
415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young
Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conducibilità termica
300W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE)
4,5×10-6K-1

Vantaggi del prodotto del suscettore epitassia con rivestimento CVD SiC:


● Deposizione precisa: Il susceptor combina un substrato di grafite altamente conduttivo termicamente con un rivestimento SiC per fornire una piattaforma di supporto stabile per i substrati (come zaffiro, SiC o GaN). La sua elevata conduttività termica (come il SiC è di circa 120 W/m·K) può trasferire rapidamente il calore e garantire una distribuzione uniforme della temperatura sulla superficie del substrato, promuovendo così una crescita di alta qualità dello strato epitassiale.

● Contaminazione ridotta: Il rivestimento SiC preparato dal processo CVD ha una purezza estremamente elevata (contenuto di impurità <5 ppm) ed è altamente resistente ai gas corrosivi (come Cl₂, NH₃), evitando la contaminazione dello strato epitassiale.

● Durabilità: L'elevata durezza del SiC (durezza Mohs 9,5) e la resistenza all'usura riducono la perdita meccanica della base durante l'uso ripetuto e sono adatti per processi di produzione di semiconduttori ad alta frequenza.



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