Polvere di carburo di silicio ultra puro per crescita cristallina

Come produttore professionista, Vetek Semiconductor desidera offrirti polvere di carburo di silicio ultra puro di alta qualità per la crescita dei cristalli.

Vetek Semiconductor è specializzato nella fornitura di polvere di carburo di silicio ultra puro per una crescita cristallina con livelli variabili di purezza. Contattaci oggi per saperne di più e ricevere un preventivo. Eleva la ricerca e lo sviluppo dei semiconduttori con i prodotti di alta qualità di Vetek Semiconductor.

VETEK Semiconductor Ultra pura polvere di carburo di silicio puro per la crescita dei cristalli viene preparato utilizzando un metodo di reazione in fase solida ad alta temperatura, utilizzando polvere di silicio ad alta purezza e polvere di carbonio ad alta purezza come materie prime. Con una purezza fino al 99,999% in peso e livelli di impurità estremamente bassi di azoto, boro, alluminio e altri contaminanti, è specificamente progettato per migliorare le proprietà semi-isulanti del carburo di silicio di alta purezza.

La purezza della nostra polvere di carburo di silicio di silicio a semiconduttore raggiunge un impressionante 99,999%, rendendolo un'eccellente materia prima per la produzione di singoli cristalli in carburo di silicio. Ciò che distingue il nostro prodotto dagli altri sul mercato è la sua straordinaria caratteristica della crescita dei cristalli ad alta velocità. Con i tassi di crescita dei cristalli che raggiungono 0,2-0,3 mm/h, riduce in modo significativo il tempo di crescita dei cristalli e riduce i costi di produzione complessivi.

La qualità della polvere di carburo di silicio è fondamentale per raggiungere un'elevata resa di crescita dei cristalli e richiede processi di produzione precisi. La nostra tecnologia prevede la separazione termica in diverse fasi per rimuovere le impurità di proprietà variabili, con conseguente polvere di carburo di silicio semi-insulante ad alta purezza con basso contenuto di azoto. Elaborando ulteriormente la polvere in granuli e utilizzando tecniche di ciclismo termico, soddisfiamo i requisiti di crescita dimensionale dei cristalli di carburo di silicio. Questa tecnologia mira a migliorare le capacità di ricerca sui semiconduttori avanzati nazionali, migliorare l'autosufficienza dei materiali, affrontare i monopoli internazionali e ridurre i costi di produzione nell'industria dei semiconduttori in carburo di silicio domestico, in definitiva elevando la sua competitività globale.

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