Forno per la crescita dei cristalli SiC con riscaldamento a resistenza di grandi dimensioni

Parametri tecnici

Vantaggi fondamentali

 ● Compatibilità a grandezza naturale

Consente una crescita stabile di cristalli di carburo di silicio da 6 pollici, 8 pollici e 12 pollici, completamente compatibili con sistemi di materiali conduttivi, semi-isolanti e di tipo N. Copre le esigenze produttive di prodotti con specifiche diverse e si adatta a diversi scenari applicativi.

● Forte stabilità del processo

I cristalli da 8 pollici hanno un'eccellente consistenza del politipo 4H, una forma superficiale stabile e un'elevata ripetibilità; la tecnologia di crescita dei cristalli di carburo di silicio da 12 pollici ha completato la verifica con un'elevata fattibilità della produzione di massa.

● Basso tasso di difetti dei cristalli

Attraverso il controllo preciso di temperatura, pressione e potenza, i difetti dei cristalli vengono ridotti in modo efficace con indicatori chiave che soddisfano gli standard: EPD=1435 ea/cm², BPD=381 ea/cm², TSD=0 ea/cm² e TED=1054 ea/cm². Tutti gli indicatori di difetti soddisfano i requisiti di alta qualità dei cristalli, migliorando significativamente la resa dei lingotti.

● Costi operativi controllabili

Ha il consumo energetico più basso tra prodotti simili. I componenti principali (come gli scudi di isolamento termico) hanno un lungo ciclo di sostituzione di 6-12 mesi, riducendo i costi operativi complessivi.

● Comodità plug-and-play

Pacchetti di ricette e processi personalizzati in base alle caratteristiche delle apparecchiature, verificati attraverso una produzione a lungo termine e multi-lotto, che consentono la produzione immediata dopo l'installazione.

● Sicurezza e affidabilità

Adotta uno speciale design anti-scintilla d'arco per eliminare potenziali rischi per la sicurezza; il monitoraggio in tempo reale e le funzioni di allarme rapido evitano in modo proattivo i rischi operativi.

● Eccellenti prestazioni di aspirazione

Gli indicatori finali del tasso di aumento del vuoto e della pressione superano i livelli leader a livello internazionale, garantendo un ambiente pulito per la crescita dei cristalli.

● Funzionamento e manutenzione intelligenti

Presenta un'interfaccia HMI intuitiva combinata con una registrazione completa dei dati, che supporta funzioni opzionali di monitoraggio remoto per una gestione della produzione efficiente e conveniente.

Visualizzazione visiva delle prestazioni principali

Curva di precisione del controllo della temperatura

Precisione del controllo della temperatura del forno per la crescita dei cristalli ≤ ±0,3°C; Panoramica della curva della temperatura

Grafico della precisione del controllo della pressione

Precisione del controllo della pressione del forno per la crescita dei cristalli: 1,0 Torr, Precisione del controllo della pressione: 0,001 Torr

Precisione della stabilità della potenza

Stabilità e coerenza tra forni/lotti: l'accuratezza della stabilità della potenza

Nello stato di crescita dei cristalli, la precisione del controllo della potenza durante la crescita stabile dei cristalli è ±0,15%.

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