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Mocvd Epitaxial Susceptor per 4
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Mocvd Epitaxial Susceptor per 4 "wafer

Il suscettore epitassiale MOCVD per wafer da 4" è progettato per far crescere uno strato epitassiale da 4". VeTek Semiconductor è un produttore e fornitore professionale, impegnato a fornire suscettore epitassiale MOCVD di alta qualità per wafer da 4". Con materiale in grafite su misura e processo di rivestimento SiC. Siamo in grado di fornire soluzioni competenti ed efficienti ai nostri clienti. Siete invitati a comunicare con noi.
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Descrizione del prodotto

VeTek Semiconductor è un produttore cinese leader professionale di suscettore epitassiale MOCVD per wafer da 4" con alta qualità e prezzo ragionevole. Non esitare a contattarci. Il suscettore epitassiale MOCVD per wafer da 4" è un componente critico nella deposizione chimica da vapore metallo-organico (MOCVD) processo, ampiamente utilizzato per la crescita di film sottili epitassiali di alta qualità, tra cui nitruro di gallio (GaN), nitruro di alluminio (AlN) e silicio carburo (SiC). Il suscettore funge da piattaforma per sostenere il substrato durante il processo di crescita epitassiale e svolge un ruolo cruciale nel garantire una distribuzione uniforme della temperatura, un trasferimento di calore efficiente e condizioni di crescita ottimali.

Il suscettore epitassiale MOCVD per il wafer da 4 "è in genere realizzato in grafite di alta purezza, carburo di silicio o altri materiali con eccellente conducibilità termica, inerzia chimica e resistenza alla shock termico.


Applicazioni:

I suscettori epitassiali MOCVD trovano applicazioni in vari settori, tra cui:

Elettronica di potenza: crescita dei transistor ad alta mobilità elettronica (HEMT) basati su GaN per applicazioni ad alta potenza e alta frequenza.

Optoelettronica: crescita dei diodi emettitori di luce (LED) e dei diodi laser basati su GaN per tecnologie di illuminazione e visualizzazione efficienti.

Sensori: crescita dei sensori piezoelettrici basati su AlN per il rilevamento di pressione, temperatura e onde acustiche.

Elettronica ad alta temperatura: crescita dei dispositivi di potenza basati su SiC per applicazioni ad alta temperatura e alta potenza.


Parametro del prodotto del suscettore epitassiale MOCVD per wafer da 4 "

Proprietà fisiche della grafite isostatica
Proprietà Unità Valore tipico
Densità apparente g/cm³ 1.83
Durezza HSD 58
Resistività elettrica μω.m 10
Forza di flessione MPA 47
Resistenza alla compressione MPA 103
Resistenza alla trazione MPA 31
Modulo di Young GPA 11.8
Dilatazione termica (CTE) 10-6K-1 4.6
Conducibilità termica W · m-1· K-1 130
Dimensione media del grano μm 8-10
Porosità % 10
Contenuto di cenere ppm ≤10 (dopo purificato)

Nota: prima del rivestimento verrà eseguita la prima purificazione, dopo il rivestimento verrà eseguita la seconda purificazione.


Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà Valore tipico
Struttura cristallina Polycristalline della fase β FCC, principalmente (111) orientato
Densità 3,21 g/cm³
Durezza Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria 2 ~ 10 mm
Purezza chimica 99.99995%
Capacità termica 640 J · kg-1· K-1
Temperatura di sublimazione 2700 ℃
Forza di flessione 415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Conducibilità termica 300 W · m-1· K-1
Dilatazione termica (CTE) 4,5 × 10-6K-1


Negozio di produzione di semiconduttori VeTek:

VeTek Semiconductor Production Shop


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