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Segmenti di copertura del rivestimento sic
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Segmenti di copertura del rivestimento sic

Vtech Semiconductor è impegnato nello sviluppo e nella commercializzazione di parti rivestite di CVD SIC per i reattori Aixtron. Ad esempio, i nostri segmenti di copertura del rivestimento SIC sono stati accuratamente elaborati per produrre un fitto rivestimento CVD SIC con eccellente resistenza alla corrosione, stabilità chimica, benvenuto a discutere di scenari di applicazione con noi.

Puoi essere certo di acquistare segmenti di copertura del rivestimento SIC dalla nostra fabbrica. La tecnologia dei micro LED sta interrompendo l'ecosistema LED esistente con metodi e approcci che fino ad ora sono stati osservati solo nelle industrie LCD o semiconduttori. Il sistema MOCVD Aixtron G5 supporta perfettamente questi rigorosi requisiti di estensione. È un potente reattore MOCVD progettato principalmente percrescita dell'epitassia GAN a base di silicio.


Aixtron G5è un sistema epitaxy del disco planetario orizzontale, principalmente costituito da componenti come il disco planetario di rivestimento CVD SIC, suscettore MOCVD, segmenti di copertura di rivestimento di rivestimento SIC, anello di copertura del rivestimento SIC, anello di rivestimento SIC, anello di rivestimento, ec.


Come produttore di rivestimento SIC CVD, Vetek Semiconductor offre segmenti di copertura per rivestimento SIC Aixtron G5. Questi suscettori sono realizzati con grafite ad alta purezza e presentano aRivestimento CVD SICCon impurità inferiore alle 5 ppm.


Segmenti di copertura del rivestimento SIC CVD I prodotti presentano un'eccellente resistenza alla corrosione, conducibilità termica superiore e stabilità ad alta temperatura. Questi prodotti resistono efficacemente alla corrosione chimica e all'ossidazione, garantendo la durata e la stabilità in ambienti difficili. L'eccezionale conduttività termica consente un efficiente trasferimento di calore, migliorando l'efficienza della gestione termica. 


Con la loro stabilità ad alta temperatura e resistenza allo shock termico, i rivestimenti SIC CVD possono resistere alle condizioni estreme. Impediscono la dissoluzione e l'ossidazione del substrato di grafite, riducendo la contaminazione e migliorando l'efficienza della produzione e la qualità del prodotto. La superficie di rivestimento piatta e uniforme fornisce una solida base per la crescita del film, riducendo al minimo i difetti causati da mancata corrispondenza reticolare e migliorando la cristallinità e la qualità del film. In sintesi, i prodotti di grafite rivestiti con SIC CVD offrono soluzioni materiali affidabili per varie applicazioni industriali, combinando una resistenza di corrosione eccezionale, conducibilità termica e stabilità ad alta temperatura.


Dati SEM del film CVD SIC

SEM DATA OF CVD SIC FILM

Proprietà fisiche di base del rivestimento SIC CVD:

Proprietà fisiche di base del rivestimento SIC CVD
Proprietà Valore tipico
Struttura cristallina Polycristalline della fase β FCC, principalmente (111) orientato
Densità di rivestimento SIC 3,21 g/cm³
Durezza del rivestimento CVD SIC 2500 Vickers Durezza (500 g di carico)
Dimensione del grano 2 ~ 10 mm
Purezza chimica 99.99995%
Capacità termica 640 J · kg-1· K-1
Temperatura di sublimazione 2700 ℃
Forza di flessione 415 MPA RT 4 punti
Modulo di Young 430 GPA 4pt Bend, 1300 ℃
Conducibilità termica 300W · m-1· K-1
Espansione termica (CTE) 4,5 × 10-6 ·K-1

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