Qual è la differenza tra CVD TAC e SINTERED TAC?

1. Che cos'è il carburo di Tantalum?

Il carburo di TantaLum (TAC) è un composto binario composto da tantaLum e carbonio con la formula empirica TACX, dove X di solito varia nell'intervallo da 0,4 a 1. Sono molto duri e fragili materiali refrattari conduttivi refrattari. Sono polveri grigio marroni, di solito sinterizzate. Come importante materiale in ceramica in metallo, il carburo di Tantalum viene utilizzato commercialmente per gli utensili da taglio e talvolta viene aggiunto alle leghe in carburo di tungsteno.

Figura 1. Materie prime in carburo di Tantalum

La ceramica in carburo di tantalum è una ceramica contenente sette fasi cristalline di carburo di tantalum. La formula chimica è TAC, reticolo cubico incentrato sul viso.

Figura 2.Tantalum Carbide - Wikipedia

La densità teorica è 1,44, il punto di fusione è 3730-3830 ℃, il coefficiente di espansione termica è 8,3 × 10-6, il modulo elastico è 291GPA, la conducibilità termica è 0,22J/cm · s · c, e il punto di fusione del picco di tantatalum carbiglia è intorno a 380 ℃, che dipende dalla puro e dalla misurazione. Questo valore è il più alto tra i composti binari.

Figura 3.Deposizione di vapore chimico di carburo di tantalum nel tabr5 e ndash

2. Quanto è forte il carburo di Tantalum?

Testando la durezza dei Vickers, la resistenza alla frattura e la densità relativa di una serie di campioni, si può stabilire che TAC ha le migliori proprietà meccaniche a 5,5 GPA e 1300 ℃. La densità relativa, la resistenza alla frattura e la durezza dei Vickers di TAC sono rispettivamente del 97,7%, 7,4 MPAM1/2 e 21,0 GPA.

Il carburo di Tantalum è anche chiamato ceramica in carburo di Tantalum, che è una specie di materiale ceramico in senso lato;I metodi di preparazione del carburo di Tantalum includonoCVDMetodo, metodo di sinterizzazione, ecc. Al momento, il metodo CVD è più comunemente usato nei semiconduttori, con elevata purezza e costi elevati.

3. Confronto tra carburo di tantalum sinterizzato e cvd tantalum carburo

Nella tecnologia di elaborazione dei semiconduttori, il carburo di tantalum sinterizzato e la deposizione di vapore chimico (CVD) il carburo di tantalum sono due metodi comuni per preparare il carburo di tantalum, che hanno differenze significative nel processo di preparazione, microstruttura, prestazioni e applicazione.

3.1 Processo di preparazione

Carburo di tantalum sinterizzato: la polvere di carburo di tantalum viene sinterizzata ad alta temperatura e alta pressione per formare una forma. Questo processo prevede la densificazione della polvere, la crescita del grano e la rimozione dell'impurità.

CVD Tantalum Carburo: il precursore gassoso in carburo di Tantalum viene utilizzato per reagire chimicamente sulla superficie del substrato riscaldato e il film in carburo di Tantalum viene depositato strato per strato. Il processo CVD ha una buona capacità di controllo dello spessore del film e uniformità della composizione.

3.2 Microstruttura

Carburo di tantalum sinterizzato: in generale, è una struttura policristallina con grandi dimensioni e pori del grano. La sua microstruttura è influenzata da fattori come la temperatura di sinterizzazione, la pressione e le caratteristiche della polvere.

CVD Tantalum Carburo: di solito è un fitto film policristallino con dimensioni ridotte e può ottenere una crescita altamente orientata. La microstruttura del film è influenzata da fattori come la temperatura della deposizione, la pressione del gas e la composizione della fase gassosa.

3.3 Differenze di prestazione

Figura 4. Differenze di prestazione tra TAC sinterizzato e CVD TAC

3.4 Applicazioni

Sinterizzato Tantalum Carburo: A causa della sua alta resistenza, alta durezza e resistenza ad alta temperatura, è ampiamente utilizzato negli utensili da taglio, parti resistenti all'usura, materiali strutturali ad alta temperatura e altri campi. Ad esempio, il carburo di Tantalum sinterizzato può essere utilizzato per produrre utensili da taglio come esercitazioni e frese per migliorare l'efficienza di elaborazione e la qualità della superficie parziale.

CVD Tantalum Carburo: A causa delle sue proprietà a film sottile, buona adesione e uniformità, è ampiamente utilizzato in dispositivi elettronici, materiali di rivestimento, catalizzatori e altri campi. Ad esempio, il carburo di tantalum CVD può essere utilizzato come interconnessioni per circuiti integrati, rivestimenti resistenti all'usura e portatori di catalizzatori.

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Figura 5. Prodotti TAC di rivestimento a caldo di Vetek Semiconductor

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