Anello guida in grafite porosa

Vantaggi principali del prodotto

1. Garanzia di purezza ultraelevata e bassi difetti

Adotta un processo di purificazione ad alta temperatura sotto vuoto a 3000 ℃ per rimuovere in profondità le impurità non metalliche come ossigeno e azoto, aumentando la purezza del prodotto a ≥ 99,9995%. Elimina i difetti cristallini indotti da impurità (ad esempio microtubuli, dislocazioni) dalla fonte, garantendo la coerenza e la stabilità delle proprietà elettriche dei singoli cristalli SiC e ponendo solide basi per una crescita cristallina di alta qualità.

2. Stabilità alle temperature ultra elevate e regolazione precisa del campo termico

Può resistere a temperature estremamente elevate di 2200 ℃ in un ambiente con argon o vuoto, funzionando in modo continuo e stabile per oltre 1000 ore senza ammorbidirsi o deformarsi. Il prodotto ha un basso coefficiente di dilatazione termica, che può efficacemente evitare la fessurazione del materiale causata dallo stress termico. Supporta la progettazione della distribuzione del gradiente della porosità (15-30%) e ottimizza la dimensione dei pori (10-200μm) combinata con la tecnologia di simulazione CFD (Computational Fluid Dynamics), controllando la fluttuazione del gradiente di temperatura entro ±3℃ e migliorando significativamente l'uniformità del campo termico e la consistenza della crescita dei cristalli.

3. Adattamento personalizzato e soddisfazione dello scenario completo

• Adattamento della forma geometrica: può elaborare con precisione forme complesse come cilindri anulari e strutture di schermatura multistrato in base alle strutture del forno dei clienti per ottenere un abbinamento e un'installazione perfetti.
• Personalizzazione del processo superficiale: fornisce servizi di trattamento superficiale personalizzati come lucidatura ultraprecisa e rivestimenti speciali, migliorando notevolmente la resistenza alla corrosione e la durata del prodotto.

4. Prestazioni verificate ed efficienza migliorata

• Se utilizzato come componente centrale del campo termico nel processo di cristallizzazione PVT SiC, è stato verificato in scenari pratici:
• Il tasso di crescita dei cristalli è aumentato del 15%-20% rispetto ai tradizionali prodotti in grafite, accorciando notevolmente il ciclo produttivo.
• La resa dei wafer monocristallini SiC da 4 pollici supera il 90%, riducendo efficacemente i costi di produzione.
• Il ciclo di manutenzione delle apparecchiature viene esteso dai convenzionali 3 mesi a 6 mesi, riducendo la frequenza dei fermi manutenzione e migliorando l'efficienza produttiva.
  
  

Scenari applicativi

• Assemblaggio del forno di crescita PVT: funge da componente principale per la sublimazione del materiale SiC e la crescita dei cristalli, fornendo una distribuzione del campo termico stabile e uniforme per garantire il regolare avanzamento del processo di cristallizzazione.
• Componente di schermatura del campo termico: l'esclusiva struttura porosa può tamponare efficacemente lo stress termico, ridurre l'usura dell'apparecchiatura e prolungarne la durata complessiva.
• Accessorio di supporto dei cristalli di semi: possiede un'elevata resistenza meccanica per supportare stabilmente i cristalli di semi, garantendo la precisione della crescita direzionale dei cristalli.
• Strato di diffusione del gas: ottimizza l'efficienza del trasferimento della fase gassosa, promuove la sublimazione e la deposizione uniformi delle materie prime e migliora ulteriormente la qualità del singolo cristallo e il tasso di crescita.

Parametri tecnici

Principali punti salienti della concorrenza

• Prestazioni a temperature estremamente elevate: mantiene la stabilità strutturale a 2200 ℃ senza ammorbidimento o deformazione, supportando il funzionamento continuo per oltre 1000 ore per soddisfare requisiti di processo estremi.
• Soluzione personalizzata per il campo termico: si basa sulla tecnologia di simulazione CFD per ottimizzare la progettazione del gradiente dei pori, soddisfacendo accuratamente le esigenze di processo dei clienti e migliorando l'uniformità dei cristalli e la resa del prodotto.
• Servizio di risposta rapida: fornisce servizi di test per la corrispondenza dei parametri di processo e fornisce soluzioni prototipo entro 72 ore, aiutando i clienti ad accelerare i processi di ricerca e sviluppo e di produzione.