Substrato SIC di tipo N N

Vetek SemiconduttoreSubstrato SiC di tipo N 4HI prodotti hanno eccellenti proprietà elettriche, termiche e meccaniche, quindi questo prodotto è ampiamente utilizzato nella lavorazione di dispositivi a semiconduttore che richiedono alta potenza, alta frequenza, alta temperatura e alta affidabilità.

La potenza del campo elettrico di rottura di SIC di tipo N 4H è alta fino a 2,2-3,0 mV/cm. Questa funzione del prodotto consente alla produzione di dispositivi più piccoli di gestire tensioni più elevate, quindi il nostro substrato SIC di tipo N 4H viene spesso utilizzato per produrre MOSFET, Schottky e JFET.

La conduttività termica del wafer SiC di tipo 4H N è di circa 4,9 W/cm·K, il che aiuta a dissipare efficacemente il calore, ridurre l'accumulo di calore, prolungare la durata del dispositivo ed è adatto per applicazioni ad alta densità di potenza.

Inoltre, il wafer SiC di tipo N 4H di Vetek Semiconductor può comunque avere prestazioni elettroniche stabili a temperature fino a 600°C, quindi viene spesso utilizzato per produrre sensori ad alta temperatura ed è molto adatto per ambienti estremi.

Facendo crescere uno strato epitassiale di carburo di silicio su un substrato di carburo di silicio di tipo n, il wafer omoepitassiale di carburo di silicio può essere ulteriormente trasformato in dispositivi di potenza come SBD, MOSFET, IGBT, ecc., che vengono utilizzati nei veicoli elettrici, nel trasporto ferroviario, ad alta -trasmissione e trasformazione di potenza, ecc.

Vetek Semiconduttorecontinua a perseguire una maggiore qualità dei cristalli e una qualità di elaborazione per soddisfare le esigenze dei clienti. Attualmente sono disponibili prodotti da 6 pollici e da 8 pollici. Di seguito sono riportati i parametri del prodotto di base del substrato SIC da 6 pollici e 8 pollici:

6 Specifiche del prodotto di base del substrato SIC di tipo N LNCH:

Specifiche del prodotto di base del substrato SIC di tipo N LNCH:

Metodo e terminologia di rilevamento del substrato SIC 4H: