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Riscaldatore in grafite personalizzato per zona calda
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Riscaldatore in grafite personalizzato per zona calda

Nella produzione di semiconduttori e nella lavorazione avanzata dei materiali, la stabilità e la purezza del campo termico determinano direttamente la competitività fondamentale del prodotto finale. VETEK si dedica alla ricerca e sviluppo e alla produzione di sistemi di riscaldamento della grafite ad alte prestazioni, fornendo soluzioni affidabili per MOCVD, epitassia SiC e vari forni sotto vuoto ad alta temperatura.

Perché scegliere VETEK?


  ●Estrema uniformità termica: I riscaldatori VETEK sono sottoposti a simulazione strutturale e progettazione precise per garantire un'eccezionale uniformità della temperatura anche in ambienti estremi fino a 2200°C, aumentando efficacemente la resa dei wafer.

  ●Garanzia del materiale di elevata purezza: Selezioniamo rigorosamente la grafite isostatica ad elevata purezza, mantenendo il contenuto di ceneri a livelli estremamente bassi per eliminare la contaminazione da ioni metallici ad alte temperature dalla fonte.

  ●Tecnologia di rivestimento avanzata: Sfruttando i principali punti di forza di VETEK, offriamo rivestimenti SiC (carburo di silicio) opzionali. Ciò migliora significativamente la resistenza all'ossidazione e alla corrosione, garantendo una maggiore durata in ambienti difficili con gas chimici.

  ●Personalizzazione di precisione: Che si tratti di strutture a disco cilindriche, a spirale o complesse, VETEK fornisce lavorazioni di alta precisione basate sui vostri disegni tecnici per garantire un perfetto adattamento alla vostra attrezzatura.

  ●Protezione logistica completa: Riconoscendo la natura fragile della grafite, VETEK ha aggiornato il suo sistema di imballaggio. Il nostro rinforzo antiurto multistrato garantisce "zero danni" durante il transito internazionale, eliminando le preoccupazioni relative ai ritardi di produzione.


Campi di applicazione principali

  ●Epitassia dei semiconduttori: Componenti principali del campo termico per apparecchiature MOCVD (compatibili con i modelli tradizionali come il K465i).

  ●Crescita dei cristalli SiC: Controllo di precisione del campo termico per la crescita del carburo di silicio e di altri materiali semiconduttori ad ampio gap di banda.

  ●Attrezzatura per vuoto ad alta temperatura: Ampiamente utilizzato nei forni di sinterizzazione sotto vuoto, nella brasatura di precisione e nelle apparecchiature di trattamento termico di fascia alta.

  ●Substrati per rivestimenti avanzati: Materiale di base ideale per rivestimenti CVD SiC, SiN o SiO.


Specifiche tecniche

Supportiamo anche materiali personalizzati con livelli di purezza più elevati per condizioni operative specifiche.


Specifica tecnica
Valore di riferimento
Densità apparente
≥1,85 g/cm3
Contenuto di cenere
≤500 ppm
Durezza Shore
≥45
Resistenza specifica
≤12 \muΩ⋅m
Resistenza alla flessione
≥40MPa
Resistenza alla compressione
≥70MPa
Massimo. Granulometria
≤43 \mamma
Coefficiente di dilatazione termica (CTE)
≤4,4×10−6/∘C
Specifica tecnica
Valore di riferimento

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