Crucibile per il silicio monocristallino

Nel metodo CZ (Czochralski), viene coltivato un singolo cristallo portando un seme monocristallino a contatto con silicio policristallino fuso. Il seme viene gradualmente tirato verso l'alto mentre viene ruotato lentamente. In questo processo, viene utilizzato un numero significativo di parti di grafite, rendendolo il metodo che impiega la più alta quantità di componenti di grafite nella produzione di semiconduttori in silicio.

L'immagine giusta fornisce una rappresentazione schematica di un forno di produzione a cristallo singolo di silicio basato sul metodo CZ.

Il crogiolo di Vetek Semiconductor per il silicio monocristallino fornisce un ambiente stabile e controllato cruciale per la formazione precisa di cristalli di semiconduttore. Sono strumentali nella coltivazione di lingotti di silicio monocristallino utilizzando tecniche avanzate come il processo di Czochralski e i metodi di float-zone, che sono fondamentali per produrre materiali di alta qualità per dispositivi elettronici.

Ingegnerizzati per eccezionale stabilità termica, resistenza alla corrosione chimica e espansione termica minima, questi crogioli garantiscono durata e robustezza. Sono progettati per resistere a ambienti chimici difficili senza compromettere l'integrità strutturale o le prestazioni, estendendo così la durata della vita del crogiolo e mantenendo prestazioni coerenti rispetto a un uso prolungato.

La composizione unica dei crogioli a semiconduttore Vetek per il silicio monocristallino consente loro di sopportare le condizioni estreme di elaborazione ad alta temperatura. Ciò garantisce un'eccezionale stabilità termica e purezza, che sono fondamentali per l'elaborazione dei semiconduttori. La composizione facilita anche un efficiente trasferimento di calore, promuovendo la cristallizzazione uniforme e minimizzando i gradienti termici all'interno della fusione del silicio.

✔ Protezione del materiale di base: ILRivestimento CVD SICAgisce come uno strato protettivo durante il processo epitassiale, proteggendo efficacemente il materiale di base dall'erosione e danni causati dall'ambiente esterno. Questa misura protettiva estende notevolmente la durata dell'attrezzatura.

✔ Eccellente conduttività termica: Il nostro rivestimento CVD SIC possiede una conducibilità termica eccezionale, trasferendo in modo efficiente il calore dal materiale di base alla superficie del rivestimento. Ciò migliora l'efficienza della gestione termica durante l'epitassia, garantendo temperature operative ottimali per l'apparecchiatura.

✔ Qualità del film migliorata: Il rivestimento CVD SIC fornisce una superficie piana e uniforme, creando una base ideale per la crescita del film. Riduce i difetti risultanti da mancata corrispondenza reticolare, migliora la cristallinità e la qualità del film epitassiale e alla fine migliora le sue prestazioni e affidabilità.