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Wafer Boat rivestito in SiC CVD ad alta purezza
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Wafer Boat rivestito in SiC CVD ad alta purezza

Nella fabbricazione avanzata come la diffusione, l'ossidazione o l'LPCVD, la navicella per wafer non è solo un supporto: è una parte fondamentale dell'ambiente termico. A temperature comprese tra 1.000°C e 1.400°C, i materiali standard spesso si guastano a causa di deformazioni o degassamento. La soluzione SiC-on-SiC di VETEK (substrato ad elevata purezza con un rivestimento CVD denso) è progettata specificamente per stabilizzare queste variabili ad alto calore.

1. Fattori chiave di prestazione?

  • Purezza al livello 7N:Manteniamo uno standard di purezza del 99,99999% (7N). Questo non è negoziabile per impedire ai contaminanti metallici di migrare nel wafer durante lunghe fasi di drive-in o di ossidazione.
  • La guarnizione CVD (50–300μm):Non ci limitiamo a "dipingere" la superficie. Il nostro strato CVD SiC da 50–300μm crea una tenuta totale sul substrato. Ciò elimina la porosità, il che significa che l'imbarcazione non intrappola sostanze chimiche né rilascia particelle anche dopo ripetuta esposizione a gas reattivi o pulizia aggressiva SPM/DHF.
  • Rigidità termica:La bassa espansione termica naturale del carburo di silicio mantiene queste barche dritte. Non si piegano né si torcono durante la ricottura termica rapida (RTA), garantendo che il braccio del robot raggiunga sempre la fessura corretta senza incepparsi.
  • Rendimenti sostenuti:La superficie è progettata per una bassa adesione dei sottoprodotti. Meno accumuli significano meno particelle che colpiscono i wafer e più passaggi tra i cicli di pulizia su banco umido.
  • Geometria personalizzata:Ogni fab ha la sua configurazione. Li lavoriamo in base ai tuoi disegni specifici di passo e scanalatura, sia che tu stia utilizzando un forno orizzontale o una linea automatizzata verticale da 300 mm.

2. Compatibilità del processo

  • Atmosfera:Resistente agli ambienti TMGa, AsH₃ e O₂ ad alta concentrazione.
  • Gamma termica:Funzionamento stabile a lungo termine fino a 1400°C.
  • Materiali:Specificamente progettato per i processi di ossidazione e diffusione di wafer logici, di potenza e analogici.


3. Specifiche tecniche
Fmangiare
Dati
Base materiale
SiC ad elevata purezza + SiC CVD denso
Grado di purezza
7N (≥ 99,99999%)
Gamma di rivestimenti
50μm – 300μm (secondo specifica)
Compatibilità
Wafer da 4", 6", 8", 12".
Pulizia
Compatibile SPM/DHF


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