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Wafer piezoelettrici PZT (PZT su Si/SOI)
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Wafer piezoelettrici PZT (PZT su Si/SOI)

Poiché la domanda di trasduttori MEMS ad alta sensibilità e bassa potenza cresce con l'espansione delle comunicazioni 5G, dei dispositivi medici di precisione e dei dispositivi indossabili intelligenti, il nostro PZT su wafer Si/SOI fornisce una soluzione materiale fondamentale. Utilizzando processi avanzati di deposizione di film sottili come Sol-gel o sputtering, otteniamo una consistenza eccezionale e prestazioni piezoelettriche superiori su substrati di silicio. Questi wafer fungono da nucleo fondamentale per la conversione dell'energia elettromeccanica.

1. Architettura tecnica

I nostri wafer presentano una sofisticata struttura stack multistrato progettata per garantire adesione, conduttività e risposta piezoelettrica ottimali durante la complessa elaborazione MEMS:

 ●Elettrodo superiore (strato chiave): Pt (Platino).

Strato piezoelettrico (strato centrale): PZT.

Strati intermedi: Include strato tampone, elettrodo inferiore e strato di adesione per ottimizzare l'orientamento dei grani e la stabilità strutturale.

Substrato: Compatibile con wafer Si o SOI.


PZT Piezoelectric Ceramic Wafers Physical Structure

2. Garanzia di qualità e analisi della microstruttura

Assicuriamo elevata affidabilità attraverso una rigorosa caratterizzazione tecnica:

Typical Stack of PZT Piezoelectric Ceramic Wafers


 ●Analisi SEM: Le immagini al microscopio elettronico a scansione (SEM) rivelano una morfologia superficiale densa e priva di crepe con distribuzione granulometrica uniforme, ideale per applicazioni MEMS ad alta affidabilità.

 ●Caratterizzazione XRD: I modelli di diffrazione dei raggi X (XRD) confermano la formazione di fasi di perovskite pura con un forte orientamento preferito (100), garantendo i massimi coefficienti di prestazione piezoelettrica.


3. Specifiche tecniche (Caratteristiche)

Caratteristiche PZT
PZT policristallino
Costante piezoelettrica d31
200 pz./N
Coefficiente piezoelettrico e31
-14 C/m²
Temperatura di Curie
X℃
Dimensioni dei wafer
Disponibili 4/6/8 pollici


4. Applicazioni principali


 ● Trasduttori ultrasonici piezoelettrici microlavorati (pMUT): Array miniaturizzati ad alta frequenza per sensori di impronte digitali, riconoscimento dei gesti e radar a ultrasuoni automobilistici.

 ● Comunicazione: Chiave per la produzione di filtri FBAR o SAW in 5G/6G per ottenere una larghezza di banda più ampia e una minore perdita di inserzione.

 ● MEMS acustici: Fornisce una potente risposta ai transitori per gli altoparlanti MEMS e migliora il rapporto segnale-rumore (SNR) per i microfoni MEMS.

 ● Controllo di precisione dei fluidi: Vibrazione ad alta velocità tramite modalità d31 per un controllo preciso su scala nanolitica del volume delle gocce nelle testine di stampa a getto d'inchiostro.

 ● Medicina e bellezza (micropompaggio): Aziona nebulizzatori medici o pompe ad ultrasuoni cosmetiche con elevata affidabilità e dimensioni compatte.


5. Servizi di personalizzazione

Oltre alla deposizione standard su wafer Si, forniamo anche servizi di deposizione personalizzata:

 ●Personalizzazione del film e dello spessore: Deposizione di tipologie di film specifiche e spessori personalizzati in base alle esigenze progettuali.

 ●Fonderia OEM: Accettazione di wafer forniti dai clienti per la crescita piezoelettrica di film sottile di alta qualità.

 ●Supporto substrato SOI: Deposizione specializzata su wafer SOI con le seguenti specifiche:


Wafer di substrato SOI
Misurare
Massima resistenza al Si
spessore
drogante
Strato di scatola
6 pollici, 8 pollici
> 5000 ohm/cm




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