Tecnologia MOCVD

VeTek Semiconductor ha vantaggi ed esperienza nei pezzi di ricambio con tecnologia MOCVD.

MOCVD, il nome completo della deposizione chimica da vapore metallo-organica (deposizione chimica da vapore metallo-organica), può anche essere chiamata epitassia in fase vapore metallo-organica. I composti organometallici sono una classe di composti con legami metallo-carbonio. Questi composti contengono almeno un legame chimico tra un metallo e un atomo di carbonio. I composti metallo-organici sono spesso utilizzati come precursori e possono formare film sottili o nanostrutture sul substrato attraverso varie tecniche di deposizione.

La deposizione chimica in fase vapore metallo-organica (tecnologia MOCVD) è una tecnologia di crescita epitassiale comune, la tecnologia MOCVD è ampiamente utilizzata nella produzione di laser e LED a semiconduttore. Soprattutto nella produzione di LED, la MOCVD è una tecnologia chiave per la produzione di nitruro di gallio (GaN) e materiali correlati.

Esistono due forme principali di epitassia: epitassia in fase liquida (LPE) ed epitassia in fase vapore (VPE). L'epitassia in fase gassosa può essere ulteriormente suddivisa in deposizione chimica in fase vapore metallo-organica (MOCVD) ed epitassia a fascio molecolare (MBE).

I produttori esteri di apparecchiature sono rappresentati principalmente da Aixtron e Veeco. Il sistema MOCVD è una delle apparecchiature chiave per la produzione di laser, LED, componenti fotoelettrici, potenza, dispositivi RF e celle solari.

Caratteristiche principali dei pezzi di ricambio con tecnologia MOCVD prodotti dalla nostra azienda:

1) Alta densità e incapsulamento completo: la base in grafite nel suo insieme si trova in un ambiente di lavoro corrosivo e ad alta temperatura, la superficie deve essere completamente avvolta e il rivestimento deve avere una buona densificazione per svolgere un buon ruolo protettivo.

2) Buona planarità superficiale: poiché la base di grafite utilizzata per la crescita del singolo cristallo richiede una planarità superficiale molto elevata, la planarità originale della base deve essere mantenuta dopo la preparazione del rivestimento, ovvero lo strato di rivestimento deve essere uniforme.

3) Buona forza di adesione: riduce la differenza nel coefficiente di dilatazione termica tra la base di grafite e il materiale di rivestimento, che può migliorare efficacemente la forza di adesione tra i due, e il rivestimento non è facile da rompersi dopo aver sperimentato calore ad alta e bassa temperatura ciclo.

4) Elevata conduttività termica: la crescita del truciolo di alta qualità richiede che la base di grafite fornisca calore rapido e uniforme, quindi il materiale di rivestimento deve avere un'elevata conduttività termica.

5) Alto punto di fusione, resistenza all'ossidazione ad alta temperatura, resistenza alla corrosione: il rivestimento dovrebbe essere in grado di funzionare stabilmente in ambienti di lavoro corrosivi e ad alta temperatura.

Posizionare il substrato da 4 pollici
Epitassia blu-verde per la crescita del LED
Ospitato nella camera di reazione
Contatto diretto con la cialda Posizionare il substrato da 4 pollici
Utilizzato per far crescere la pellicola epitassiale UV LED
Ospitato nella camera di reazione
Contatto diretto con la cialda Macchina Veeco K868/Veeco K700
Epitassia LED bianco/Epitassia LED blu-verde Utilizzato nelle apparecchiature VEECO
Per l'epitassia MOCVD
Suscettore di rivestimento SiC Attrezzatura Aixtron TS
Epitassia ultravioletta profonda
Substrato da 2 pollici Attrezzatura Veeco
Epitassia LED rosso-giallo
Substrato wafer da 4 pollici Suscettore rivestito in TaC
(Ricevitore SiC Epi/UV LED) Suscettore rivestito in SiC
(Suscettore ALD/ Si Epi/ LED MOCVD)