Suscettore di rivestimento MOCVD SiC

Il suscettore di rivestimento VETEK a semiconduttore MOCVD SIC è realizzato di alta qualitàgrafite, selezionato per la sua stabilità termica e l'eccellente conduttività termica (circa 120-150 W/m·K). Le proprietà intrinseche della grafite lo rendono un materiale ideale per resistere alle dure condizioni interneReattori MOCVD. Per migliorare le sue prestazioni ed estendere la sua durata di servizio, il suscettore di grafite è accuratamente rivestito con uno strato di carburo di silicio (sic).

Il suscettore di rivestimento MOCVD SiC è un componente chiave utilizzato indeposizione di vapore chimico (CVD)EProcessi MOCVD di deposizione di vapore chimico organico metallico (MOCVD). La sua funzione principale è supportare e riscaldare wafer di silicio o carburo di silicio (SIC) e garantire una deposizione di gas uniforme in un ambiente ad alta temperatura. È un prodotto indispensabile nell'elaborazione dei semiconduttori.

Applicazioni del suscettore di rivestimento SiC MOCVD nella lavorazione dei semiconduttori:

Supporto e riscaldamento wafer:

Il suscettore di rivestimento SIC MOCVD non ha solo una potente funzione di supporto, ma può anche riscaldare efficacemente ilwaferin modo uniforme per garantire la stabilità del processo di deposizione di vapori chimici. Durante il processo di deposizione, l'elevata conduttività termica del rivestimento SiC può trasferire rapidamente l'energia termica in ogni area del wafer, evitando il surriscaldamento locale o una temperatura insufficiente, garantendo così che il gas chimico possa depositarsi uniformemente sulla superficie del wafer. Questo effetto uniforme di riscaldamento e deposizione migliora notevolmente la consistenza della lavorazione dei wafer, rendendo uniforme lo spessore della pellicola superficiale di ciascun wafer e riducendo il tasso di difetti, migliorando ulteriormente la resa produttiva e l'affidabilità delle prestazioni dei dispositivi a semiconduttore.

Crescita dell'epitassia:

NelProcesso MOCVD, I vettori rivestiti SIC sono componenti chiave nel processo di crescita dell'epitassia. Sono specificamente utilizzati per supportare e riscaldare wafer in carburo di silicio e silicio, garantendo che i materiali nella fase di vapore chimico possano essere depositati uniformemente e accuratamente sulla superficie del wafer, formando così strutture a film sottile senza difetti di alta qualità. I rivestimenti SIC non sono solo resistenti alle alte temperature, ma mantengono anche la stabilità chimica in ambienti di processo complessi per evitare contaminazione e corrosione. Pertanto, i portatori rivestiti di SIC svolgono un ruolo vitale nel processo di crescita dell'epitassia di dispositivi a semiconduttore ad alta precisione come dispositivi di alimentazione SIC (come MOSFET SIC e diodi), LED (in particolare LED blu e ultravioletti) e celle solari fotovoltaiche.

Nitruro di gallio (GAN)ed epitassia dell'arseniuro di gallio (GaAs).:

I portatori rivestiti di SIC sono una scelta indispensabile per la crescita degli strati epitassiali GAN e GAAS a causa della loro eccellente conduttività termica e del coefficiente di espansione termica bassa. La loro efficiente conduttività termica può distribuire uniformemente il calore durante la crescita epitassiale, garantendo che ogni strato di materiale depositato possa crescere uniformemente a una temperatura controllata. Allo stesso tempo, la bassa espansione termica di SIC gli consente di rimanere dimensionalmente stabile in variazioni di temperatura estrema, riducendo efficacemente il rischio di deformazione del wafer, garantendo così l'alta qualità e la coerenza dello strato epitassiale. Questa caratteristica rende i vettori rivestiti SIC una scelta ideale per la produzione di dispositivi elettronici ad alta frequenza ad alta potenza (come dispositivi GAN HEMT) e comunicazioni ottiche e dispositivi optoelettronici (come laser e rivelatori a base di GAA).

Semiconduttore VeTekNegozi di suscettori con rivestimento SiC MOCVD: