Tecnologia di taglio intelligente per wafer in carburo di silicio cubico

Smart Cut è un processo di produzione di semiconduttori avanzato basato sull'impianto ionico ewaferStripping, appositamente progettato per la produzione di wafer 3C-SIC ultra-tinici e altamente uniformi (carburo di silicio cubico). Può trasferire materiali cristallini ultra-sottili da un substrato all'altro, rompendo così i limiti fisici originali e cambiando l'intero settore del substrato.

Rispetto al taglio meccanico tradizionale, la tecnologia del taglio intelligente ottimizza in modo significativo i seguenti indicatori chiave:

Ttecnico fmangiare

Migliorare il tasso di utilizzo dei materiali

Nei metodi di produzione tradizionali, i processi di taglio e lucidatura dei wafer in carburo di silicio sprecano una notevole quantità di materie prime. La tecnologia smart taglio raggiunge un tasso di utilizzo del materiale più elevato attraverso un processo a strati, che è particolarmente importante per materiali costosi come il SIC 3C.

Significativo efficacia in termini di costi

La funzionalità del substrato riutilizzabile di Smart Cut può massimizzare l'utilizzo delle risorse, riducendo così i costi di produzione. Per i produttori di semiconduttori, questa tecnologia può migliorare significativamente i benefici economici delle linee di produzione.

Miglioramento delle prestazioni del wafer

Gli strati sottili generati da Smart Cut hanno meno difetti di cristallo e una maggiore consistenza. Ciò significa che i wafer SIC 3C prodotti da questa tecnologia possono trasportare una mobilità elettronica più elevata, migliorando ulteriormente le prestazioni dei dispositivi a semiconduttore.

Supportare la sostenibilità

Riducendo i rifiuti materiali e il consumo di energia, la tecnologia Smart Cut soddisfa le crescenti esigenze di protezione ambientale dell'industria dei semiconduttori e offre ai produttori un percorso per trasformarsi verso una produzione sostenibile.

L'innovazione della tecnologia Smart Cut si riflette nel suo flusso di processo altamente controllabile:

1. Impianto ionico di precisione ‌

UN. Le travi a ioni idrogeno multi-energia vengono utilizzati per l'iniezione a strati, con l'errore di profondità controllato entro 5 nm.

B. Attraverso la tecnologia di regolazione della dose dinamica, si evita il danno reticolare (densità di difetto <100 cm⁻²).

2. Legame wafer a temperatura-low ‌

UN.Il legame del wafer si ottiene attraverso il plasmaUn'attivazione inferiore a 200 ° C per ridurre l'impatto della sollecitazione termica sulle prestazioni del dispositivo.

3. Controllo di stripping estelligente ‌

UN. I sensori di sollecitazione in tempo reale integrati non garantiscono microcrack durante il processo di peeling (resa> 95%).

4.Ioudaoplaceholder0 Ottimizzazione della lucidatura della superficie ‌

UN. Adottando la tecnologia di lucidatura meccanica chimica (CMP), la rugosità superficiale è ridotta al livello atomico (RA 0,3 nm).

‌