QR Code

Chi siamo
Prodotti
Contattaci
Telefono
Fax
+86-579-87223657
E-mail
Indirizzo
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Provincia di Zhejiang, Cina
● Comportamento isotropico: Proprietà fisiche uniformi (ad es. Conducibilità termica/elettrica, resistenza meccanica) in tutte e tre le dimensioni (x, y, z), senza dipendenza direzionale.
● Ad alta purezza e stabilità termica: Prodotto tramite processi avanzati come la pressione isostatica, offrendo livelli di impurità ultra-bassa (contenuto di cenere su scala PPM) e una resistenza avanzata ad alte temperature (fino a 2000 ° C+).
● Machinabilità di precisione: Facilmente fabbricati in geometrie complesse, ideali per componenti di elaborazione del wafer a semiconduttore (ad esempio riscaldatori, isolanti).
Proprietà fisiche della grafite isostatica Proprietà Unità
Valore tipico
Densità di massa g/cm³
1.83
Durezza
HSD
58 Resistività elettrica μω.m
10 Forza di flessione
MPA
47 Resistenza a compressione
MPA
103 Resistenza alla trazione MPA
31 Modulo di Young
GPA
11.8 Espansione termica (CTE)
10-6K-1
4.6 Conducibilità termica
W · m-1· K-1 130 Dimensione media del grano μm
8-10 Porosità
%
10 Contenuto di cenere
ppm
≤5 (dopo purificato)
● Infusione di silicio: Infuso con silicio per formare uno strato composito in carburo di silicio (SIC), migliorando significativamente la resistenza all'ossidazione e la durata della corrosione in ambienti estremi.
● potenziale anisotropia: Può conservare alcune proprietà direzionali dalla grafite di base, a seconda del processo di siliconizzazione.
● Conducibilità regolata: Conducibilità elettrica ridotta rispetto apura grafitema una maggiore durata in condizioni difficili.
Parametri principali della grafite siliconizzata
Proprietà
Valore tipico
Densità
2.4-2,9 g/cm³
Porosità
<0,5%
Resistenza a compressione
> 400 MPA Forza di flessione
> 120 MPA
Conducibilità termica
120 W/Mk
Coefficiente di espansione termica
4,5 × 10-6
Modulo elastico
120 GPA
Forza di impatto
1,9kj/m²
Attrito lubrificato con acqua
0.005
Coefficiente di attrito secco
0.05
Stabilità chimica Vari sali, solventi organici,
acidi forti (HF, HCl, H₂SO4, Hno₃)
Temperatura di utilizzo stabile a lungo termine
800 ℃ (atmosfera di ossidazione)
2300 ℃ (atmosfera inerta o sottovuoto)
Resistività elettrica
120*10-6Ωm
✔ Grafite siliconizzata:● Produzione di semiconduttori: Crucible ed elementi di riscaldamento in forni di crescita del silicio a cristallo singolo, sfruttando la sua purezza e distribuzione termica uniforme.
● Energia solare: Componenti di isolamento termico nella produzione di cellule fotovoltaiche (ad es. Parti del forno a vuoto).
● Tecnologia nucleare: Moderatori o materiali strutturali nei reattori a causa della resistenza alle radiazioni e della stabilità termica.
● Strumenti di precisione: Stampi per metallurgia in polvere, beneficiando di una precisione ad alta dimensione.
● Ambienti di ossidazione ad alta temperatura: Componenti del motore aerospaziale, rivestimenti per fornace industriali e altre applicazioni ricche di ossigeno.
● Media corrosivi: Elettrodi o guarnizioni nei reattori chimici esposti ad acidi/alcali.
● Tecnologia della batteria: Uso sperimentale negli anodi della batteria agli ioni di litio per migliorare l'intercalazione degli ioni di litio (ancora focalizzato sulla R&D).
● Attrezzatura a semiconduttore: Elettrodi negli strumenti di attacco al plasma, combinando conducibilità con resistenza alla corrosione.
✔ grafite isotropica
Punti di forza:
● Prestazioni uniformi: Elimina i rischi di fallimento direzionale (ad es. Crepe da stress termico).
● Purezza ultra-alta: Impedisce la contaminazione in processi sensibili come la fabbricazione di semiconduttori.
● Resistenza agli shock termici: Stabile in un ciclo rapido della temperatura (ad es. Reattori CVD).
Limitazioni:
● Costi di produzione più elevati e requisiti di lavorazione rigorosi.
✔ Grafite siliconizzata
Punti di forza:
● Resistenza all'ossidazione: Lo strato SIC blocca la diffusione dell'ossigeno, estendendo la durata della vita in ambienti ossidativi ad alto calore.
● Durabilità migliorata: Miglioramento della durezza superficiale e resistenza all'usura.
● Inerzia chimica: Resistenza superiore ai supporti corrosivi rispetto alla grafite standard.
Limitazioni:
● Conducibilità elettrica ridotta e una maggiore complessità di produzione.
✔ Grafite isotropica:
Domina le applicazioni che richiedono uniformità e purezza (semiconduttori, tecnologia nucleare).
✔ Grafite siliconizzata:
Eccelle in condizioni estreme (aerospaziale, lavorazione chimica) a causa della durata potenziata dal silicio.
+86-579-87223657
Wangda Road, Ziyang Street, Wuyi County, Jinhua City, Provincia di Zhejiang, Cina
Copyright © 2024 Vetek Semiconductor Technology Co., Ltd. Tutti i diritti riservati.
Links | Sitemap | RSS | XML | Privacy Policy |