Piastra di distribuzione del gas in quarzo

Le piastre di distribuzione del gas in quarzo, note anche come doccia in quarzo, sono componenti critici nella fabbricazione di semiconduttori. Sfruttando l'eccezionale purezza, resistenza ad alta temperatura e resistenza alla corrosione del quarzo, queste piastre assicurano un flusso uniforme e stabile di gas di processo sulla superficie del wafer. Questa consegna precisa è essenziale per mantenere la qualità e l'uniformità dei film depositati o delle caratteristiche incise.

Caratteristiche chiave del quarzo fuso ad alta purezza

● Materiale: Quarzo fuso di alta pureggine del 99,99%

● Resistenza ad alta temperatura: Resiste a temperature superiori a 1000 ℃

● Resistenza alla corrosione: Eccellente durata contro i gas di processo e gli ambienti al plasma

● Flusso di gas di precisione: Distribuzione uniforme di micro-buco per l'erogazione ottimale del gas e l'uniformità della deposizione

● Design personalizzabile: Dimensioni, motivi del foro e funzionalità di montaggio possono essere personalizzati per modelli di apparecchiature specifiche

Ruoli fondamentali nella produzione di semiconduttori

1. Deposizione di vapore fisico (PVD) e deposizione di vapore chimico (CVD)

Ruolo: Nei processi PVD e CVD, la piastra di distribuzione del gas dirige con precisione gas reattivi (ad es. Silano, ammoniaca, ossigeno) o precursori sul wafer per formare un film sottile desiderato.

Usi specifici:

● Controllo dell'uniformità: i micro-buchi ingegnerizzati con precisione della piastra assicurano che il flusso di gas e la concentrazione siano uniformi su tutta la superficie del wafer. Questo è vitale per depositare film con spessore e prestazioni coerenti.

● Prevenzione della contaminazione: l'elevata purezza del quarzo impedisce alla piastra di reagire con gas di processo o di rilasciare impurità. Ciò mantiene la purezza del film e impedisce difetti sulla superficie del wafer.

2. Deposizione di vapore chimico potenziato dal plasma (PECVD)

Ruolo: In PECVD, la doccia al quarzo non solo offre gas reattivi, ma funziona anche come elettrodo per la generazione di plasma.

Usi specifici:

● Accensione al plasma: la doccia è in genere collegata a una fonte di alimentazione a radiofrequenza (RF) per generare un plasma. Le particelle ad alta energia all'interno del plasma promuovono la decomposizione dei reagenti gassosi, consentendo la deposizione del film a temperature più basse.

● Stabilità termica: il quarzo presenta un'eccellente stabilità termica, consentendo di resistere all'ambiente al plasma ad alta temperatura. Ciò aiuta a mantenere una temperatura uniforme all'interno della camera di processo, garantendo ulteriormente la qualità e la coerenza del film.

3. Attacco a secco

Ruolo: Nell'attacco a secco, la piastra di distribuzione del gas introduce gas reattivi di incisione (ad es. Fluorocarburi, cloro) nella camera di attacco.

Usi specifici:

● Uniformità ad incisione: la piastra garantisce un flusso uniforme e una concentrazione di gas di attacco, che garantisce una profondità e un profilo coerenti di incisione attraverso l'intero wafer. Ciò è cruciale per raggiungere i modelli precisi richiesti per i dispositivi a semiconduttore avanzati.

● Resistenza alla corrosione: le forti proprietà corrosive dei gas di attacco richiedono un materiale durevole. L'elevata resistenza alla corrosione di Quartz estende la durata della durata della doccia e riduce il rischio di interruzioni di processo.

4. PULIZIONE DI WAFER

Ruolo: In specifici processi di pulizia del wafer, viene utilizzata una piastra di distribuzione di gas in quarzo per fornire gas di pulizia (ad esempio ozono, ammoniaca) uniformemente sulla superficie del wafer per rimuovere i residui o i contaminanti.

Usi specifici:

● Pulizia coerente: la piastra garantisce che i gas di pulizia raggiungano ogni parte del wafer, consentendo un processo di pulizia accurato e uniforme.

● Compatibilità chimica: la compatibilità del quarzo con una vasta gamma di sostanze chimiche di pulizia impedisce le reazioni e mantiene la purezza e l'efficacia del processo di pulizia.