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Rivestimento in carburo di silicio

VeTek Semiconductor è specializzata nella produzione di prodotti di rivestimento in carburo di silicio ultra puri, questi rivestimenti sono progettati per essere applicati a grafite purificata, ceramica e componenti metallici refrattari.


I nostri rivestimenti ad elevata purezza sono destinati principalmente all'uso nei settori dei semiconduttori e dell'elettronica. Fungono da strato protettivo per supporti wafer, suscettori ed elementi riscaldanti, proteggendoli dagli ambienti corrosivi e reattivi incontrati in processi come MOCVD ed EPI. Questi processi sono parte integrante della lavorazione dei wafer e della produzione dei dispositivi. Inoltre, i nostri rivestimenti sono particolarmente adatti per applicazioni in forni a vuoto e riscaldamento di campioni, dove si incontrano ambienti ad alto vuoto, reattivi e con ossigeno.


Noi di VeTek Semiconductor offriamo una soluzione completa con le nostre capacità avanzate di officina meccanica. Ciò ci consente di produrre i componenti di base utilizzando grafite, ceramica o metalli refrattari e di applicare internamente i rivestimenti ceramici SiC o TaC. Forniamo anche servizi di rivestimento per le parti fornite dai clienti, garantendo flessibilità per soddisfare le diverse esigenze.


I nostri prodotti di rivestimento in carburo di silicio sono ampiamente utilizzati nell'epitassia Si, epitassia SiC, sistema MOCVD, processo RTP/RTA, processo di incisione, processo di incisione ICP/PSS, processo di vari tipi di LED, inclusi LED blu e verde, LED UV e UV profondo LED ecc., adattato alle apparecchiature LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI e così via.


Parti del reattore che possiamo realizzare:


Aixtron G5 MOCVD Susceptors


Il rivestimento in carburo di silicio offre diversi vantaggi esclusivi:

Silicon Carbide Coating several unique advantages



Parametro del rivestimento in carburo di silicio di VeTek Semiconductor

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD
Proprietà Valore tipico
Struttura cristallina FCC fase β policristallina, prevalentemente orientata (111).
Densità del rivestimento SiC 3,21 g/cm³
Rivestimento SiCDurezza Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria 2~10μm
Purezza chimica 99,99995%
Capacità termica 640 J·kg-1·K-1
Temperatura di sublimazione 2700 ℃
Resistenza alla flessione 415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conducibilità termica 300W·m-1·K-1
Dilatazione termica (CTE) 4,5×10-6K-1

STRUTTURA CRISTALLINA DEL FILM CVD SIC

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE



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Piastra portante di attacco PSS per semiconduttore

Piastra portante di attacco PSS per semiconduttore

La piastra portante di incisione PSS di Vetek Semiconductor per semiconduttore è un vettore di grafite ultra-puro di alta qualità progettato per i processi di gestione dei wafer. I nostri vettori hanno prestazioni eccellenti e possono funzionare bene in ambienti difficili, alte temperature e condizioni di pulizia chimica dure. I nostri prodotti sono ampiamente utilizzati in molti mercati europei e americani e non vediamo l'ora di diventare il tuo partner a lungo termine in Cina. Sei il benvenuto a venire in Cina per visitare la nostra fabbrica e saperne di più sulla nostra tecnologia e prodotti.
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Suscettore per ricottura termica rapida

Suscettore per ricottura termica rapida

VeTek Semiconductor è un produttore e fornitore leader di suscettori per ricottura termica rapida in Cina, specializzato nella fornitura di soluzioni ad alte prestazioni per l'industria dei semiconduttori. Vantiamo molti anni di profonda accumulazione tecnica nel campo dei materiali di rivestimento SiC. Il nostro suscettore per ricottura termica rapida ha un'eccellente resistenza alle alte temperature e un'eccellente conduttività termica per soddisfare le esigenze della produzione epitassiale dei wafer. Siete invitati a visitare la nostra fabbrica in Cina per saperne di più sulla nostra tecnologia e sui nostri prodotti.
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Suscitatore epitassiale GAN a base di silicio

Suscitatore epitassiale GAN a base di silicio

Il suscettore epitassiale GAN a base di silicio è il componente principale richiesto per la produzione epitassiale GAN. Il suscettore epitassiale GAN a base di silicio di Vetemicon è appositamente progettato per il sistema di reattori epitassiali GAN a base di silicio, con vantaggi come l'alta purezza, l'eccellente resistenza ad alta temperatura e la resistenza alla corrosione. Benvenuti alla tua ulteriore consultazione.
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Parte Halfmoon da 8 pollici per reattore LPE

Parte Halfmoon da 8 pollici per reattore LPE

Vetek Semiconductor è uno dei principali produttori di attrezzature per semiconduttori in Cina, incentrato sulla ricerca e sviluppo e sulla produzione di parte di mezzamoia da 8 pollici per il reattore LPE. Nel corso degli anni abbiamo accumulato una ricca esperienza, in particolare nei materiali di rivestimento SIC, e ci impegniamo a fornire soluzioni efficienti su misura per i reattori epitassiali LPE. La nostra parte di mezzalmo da 8 pollici per il reattore LPE ha prestazioni e compatibilità eccellenti ed è un componente chiave indispensabile nella produzione epitassiale. Accendi la tua richiesta per saperne di più sui nostri prodotti.
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Suscettore pancake rivestito in SiC per wafer LPE PE3061S da 6 pollici

Suscettore pancake rivestito in SiC per wafer LPE PE3061S da 6 pollici

Il suscettore pancake rivestito in SiC per wafer LPE PE3061S da 6'' è uno dei componenti principali utilizzati nell'elaborazione dei wafer epitassiali di wafer da 6''. VeTek Semiconductor è attualmente un produttore e fornitore leader di suscettori pancake rivestiti in SiC per wafer LPE PE3061S da 6'' in Cina. Il suscettore per pancake rivestito in SiC che fornisce ha caratteristiche eccellenti come elevata resistenza alla corrosione, buona conduttività termica e buona uniformità. In attesa della tua richiesta.
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Supporto rivestito SIC per LPE PE2061S

Supporto rivestito SIC per LPE PE2061S

Vetek Semiconductor è un produttore leader e fornitore di componenti di grafite rivestiti in Cina. Il supporto rivestito SIC per LPE PE2061S è adatto al reattore epitassiale al silicio LPE. Mentre il fondo della base a canna, il supporto rivestito SIC per LPE PE2061 può resistere a temperature elevate di 1600 gradi Celsius, raggiungendo così la vita di prodotti ultra-lunghi e riducendo i costi dei clienti. In attesa della tua richiesta e ulteriore comunicazione.
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Come produttore e fornitore professionista Rivestimento in carburo di silicio in Cina, abbiamo la nostra fabbrica. Sia che tu abbia bisogno di servizi personalizzati per soddisfare le esigenze specifiche della propria regione o desideri acquistare avanzati e durevoli Rivestimento in carburo di silicio realizzati in Cina, puoi lasciarci un messaggio.
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