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Anello preriscaldante
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Anello preriscaldante

L'anello di preriscaldamento viene utilizzato nel processo di epitassia dei semiconduttori per preriscaldare i wafer e rendere la temperatura dei wafer più stabile e uniforme, il che è di grande importanza per la crescita di alta qualità degli strati di epitassia. Vetek Semiconductor controlla rigorosamente la purezza di questo prodotto per prevenire la volatilizzazione delle impurità alle alte temperature. Benvenuti per un'ulteriore discussione con noi.

Il Pre-Heat Ring è un'apparecchiatura chiave progettata specificamente per il processo epitassiale (EPI) nella produzione di semiconduttori. Viene utilizzato per preriscaldare i wafer prima del processo EPI, garantendo stabilità e uniformità della temperatura durante la crescita epitassiale.


Prodotto da Vetek Semiconductor, il nostro anello EPI Pre Heat offre diverse caratteristiche e vantaggi notevoli. In primo luogo, è costruito utilizzando materiali ad alta conducibilità termica, consentendo un trasferimento di calore rapido e uniforme sulla superficie del wafer. Ciò impedisce la formazione di hotspot e gradienti di temperatura, garantendo una deposizione costante e migliorando la qualità e l'uniformità dello strato epitassiale. Inoltre, il nostro anello di preriscaldamento EPI è dotato di un avanzato sistema di controllo della temperatura, che consente un controllo preciso e coerente della temperatura di preriscaldamento. Questo livello di controllo migliora l'accuratezza e la ripetibilità di passaggi cruciali come la crescita dei cristalli, la deposizione del materiale e le reazioni dell'interfaccia durante il processo EPI.


Durabilità e affidabilità sono aspetti essenziali della progettazione del nostro prodotto. L'anello pre -calore EPI è costruito per resistere a temperature elevate e pressioni operative, mantenendo stabilità e prestazioni per lunghi periodi. Questo approccio di progettazione riduce i costi di manutenzione e sostituzione, garantendo l'affidabilità a lungo termine e l'efficienza operativa. L'installazione e il funzionamento dell'anello pre -calore EPI sono semplici, in quanto è compatibile con l'attrezzatura EPI comune. Presenta un meccanismo di posizionamento e recupero del wafer intuitivo, migliorando la convenienza ed efficienza operativa.


In Vetek Semiconductor, offriamo anche servizi di personalizzazione per soddisfare requisiti specifici dei clienti. Ciò include la sartoria delle dimensioni, della forma e della temperatura dell'anello pre -calore EPI per allinearsi con esigenze di produzione uniche. Per i ricercatori e i produttori coinvolti nella crescita epitassiale e nella produzione di dispositivi a semiconduttore, l'anello preriscaldante EPI di VeTek Semiconductor offre prestazioni eccezionali e supporto affidabile. Serve come strumento fondamentale per ottenere una crescita epitassiale di alta qualità e facilitare processi di produzione efficienti di dispositivi a semiconduttore.


DATI SEM DEL FILM CVD SIC

SEM DATA OF CVD SIC FILM

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD:

Proprietà fisiche di base del rivestimento SIC CVD
Proprietà Valore tipico
Struttura cristallina Polycristalline della fase β FCC, principalmente (111) orientato
Densità di rivestimento SIC 3,21 g/cm³
Durezza del rivestimento SIC Durezza 2500 Vickers (carico 500 g)
Granulometria 2 ~ 10 mm
Purezza chimica 99.99995%
Capacità termica 640 J·kg-1· K-1
Temperatura di sublimazione 2700 ℃
Forza di flessione 415 MPa RT a 4 punti
Modulo di Young Curvatura 4 punti 430 Gpa, 1300 ℃
Conducibilità termica 300W · m-1· K-1
Dilatazione termica (CTE) 4,5×10-6K-1


Semiconduttore VeTekAnello di preriscaldamentoNegozio di produzione

SiC Graphite substratePre-Heat Ring testSilicon carbide ceramic processingEPI process equipment


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