Silicio su wafer isolante

Il principio di lavoro diSemiconduttore'SWafer di silicio su isolanteSi basa principalmente sulla sua struttura unica e proprietà del materiale. E SOI WaferÈ composto da tre strati: lo strato superiore è uno strato di dispositivo in silicio a cristallo singolo, il mezzo è uno strato isolante di ossido sepolto (scatola) e lo strato inferiore è un substrato di silicio di supporto.

La struttura del silicio sui wafer isolatori (SOI)

Formazione dello strato di isolamento: Il wafer di silicio su isolante viene generalmente fabbricato utilizzando la tecnologia Smart Cut ™ o la tecnologia SIMOX (separazione per ossigeno impianto). La tecnologia Smart Cut ™ inietta ioni idrogeno nel wafer di silicio per formare uno strato di bolle, quindi lega il wafer iniettato per idrogeno al silicio di supportowafer. 

Dopo il trattamento termico, il wafer iniettato per idrogeno viene diviso dallo strato di bolle per formare una struttura SOI.Tecnologia SIMOXImplica ioni di ossigeno ad alta energia nei wafer di silicio per formare uno strato di ossido di silicio ad alte temperature.

Ridurre la capacità parassita: Il livello della scatola delWafer in carburo di silicioisola efficacemente lo strato del dispositivo e il silicio di base, riducendo significativamenteG Capacità parassita. Questo isolamento riduce il consumo di energia e aumenta la velocità e le prestazioni del dispositivo.

Evita gli effetti del picco: I dispositivi N-Well e P-Well nelSOI Wafersono completamente isolati, evitando l'effetto di blocco nelle strutture CMOS tradizionali. Questo lo consentewafer soi da produrre a velocità più elevate.

Funzione di arresto delle incisioni: ILstrato di dispositivo in silicio a cristallo singoloe la struttura a strato di scatola del wafer SOI facilita la produzione di MEMS e dispositivi optoelettronici, fornendo un'eccellente funzione di arresto dell'incisione.

Attraverso queste caratteristiche,Silicio su wafer isolantesvolge un ruolo importante nell'elaborazione dei semiconduttori e promuove lo sviluppo continuo del circuito integrato (IC) esistemi microelettromeccanici (MEMS)Industrie. Non vediamo l'ora di ulteriori comunicazioni e cooperazione con te.

Il parametro delle specifiche Sol Wafer da 200 mm:

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