Ricetta di deposizione di strati atomici ALD

Ald spaziale, deposizione di strati atomici isolati spazialmente. Il wafer si sposta tra diverse posizioni ed è esposto a diversi precursori in ciascuna posizione. La figura seguente è un confronto tra ALD tradizionale e ALD spazialmente isolato.

ALD temporale,deposizione di strati atomici isolati temporalmente. Il wafer viene fissato e i precursori vengono alternativamente introdotti e rimossi nella camera. Questo metodo può elaborare il wafer in un ambiente più equilibrato, migliorando così i risultati, come un migliore controllo della gamma di dimensioni critiche. La figura seguente è un diagramma schematico dell'ALD temporale.

Valvola di arresto, valvola chiusa. Comunemente usato in，ricette, utilizzate per chiudere la valvola alla pompa del vuoto o aprire la valvola di arresto alla pompa del vuoto.

Precursore, precursore. Due o più, ciascuno contenente gli elementi del film depositato desiderato, sono alternativamente adsorbiti sulla superficie del substrato, con un solo precursore alla volta, indipendentemente l'uno dall'altro. Ogni precursore satura della superficie del substrato per formare un monostrato. Il precursore può essere visto nella figura seguente.

Purge, noto anche come purificazione. Gas di spurgo comune, gas di spurgo.Deposizione di strati atomiciè un metodo per depositare film sottili in strati atomici posizionando in sequenza due o più reagenti in una camera di reazione per formare un film sottile attraverso la decomposizione e l'adsorbimento di ciascun reagente. Cioè, il primo gas di reazione viene alimentato in modo pulsato per depositarsi chimicamente all'interno della camera, e il primo gas di reazione residuo legato fisicamente viene rimosso mediante spurgo. Quindi il secondo gas di reazione forma in parte anche un legame chimico con il primo gas di reazione attraverso il processo di impulso e spurgo, depositando così la pellicola desiderata sul substrato. Lo spurgo può essere visto nella figura seguente.

Ciclo. Nel processo di deposizione di strati atomici, il tempo per ogni gas di reazione da pulsare e spurgato una volta è chiamato ciclo.

Epitassia a strato atomico.Un altro termine per la deposizione di strati atomici.

Trimetilalluminio, abbreviato in TMA, trimetilalluminio. Nella deposizione di strati atomici, il TMA viene spesso utilizzato come precursore per formare Al2O3. Normalmente, TMA e H2O formano Al2O3. Inoltre, TMA e O3 formano Al2O3. La figura seguente è un diagramma schematico della deposizione dello strato atomico di Al2O3, utilizzando TMA e H2O come precursori.

3-aminopropiltrietossisilano, indicato come apte, 3-aminopropiltrimetossisilano. Indeposizione di strati atomici, APTES è spesso utilizzato come precursore per formare SiO2. Normalmente, APTES, O3 e H2O formano SiO2. La figura seguente è un diagramma schematico di APTES.