Ugello di rivestimento CVD SIC

VeTek Semiconductor è un produttore specializzato di accessori di rivestimento CVD SiC per dispositivi epitassiali come le parti halfmoon di rivestimento CVD SiC e i suoi accessori ugelli di rivestimento CVD SiC. Benvenuti a contattarci.

PE1O8 è un sistema di cartucce completamente automatiche per gestireWafer SiCfino a 200 mm. Il formato può essere cambiato tra 150 e 200 mm, minimizzando i tempi di inattività degli strumenti. La riduzione delle fasi di riscaldamento aumenta la produttività, mentre l'automazione riduce il lavoro e migliora la qualità e la ripetibilità. Per garantire un processo di epitassia efficiente e competitiva in termini di costi, vengono riportati tre fattori principali: 

● processo rapido;

● Alta uniformità di spessore e doping;

●  minimizzazione della formazione di difetti durante il processo di epitassia. 

Nel PE1O8, la piccola massa di grafite e il sistema di carico/scarico automatico consentono di completare una corsa standard in meno di 75 minuti (la formulazione standard di diodo Schottky da 10 μm utilizza un tasso di crescita di 30μm/h). Il sistema automatico consente il caricamento/scarico ad alte temperature. Di conseguenza, i tempi di riscaldamento e raffreddamento sono brevi, mentre la fase di cottura è stata inibita. Questa condizione ideale consente la crescita di veri materiali non oppiati.

Nel processo di epitassia del carburo di silicio, gli ugelli di rivestimento CVD SiC svolgono un ruolo cruciale nella crescita e nella qualità degli strati epitassiali. Ecco la spiegazione estesa del ruolo degli ugelli inEpitassia in carburo di silicio:

● Fornitura e controllo del gas: Gli ugelli vengono utilizzati per erogare la miscela di gas richiesta durante l'epitassia, compreso il gas di origine del silicio e il gas di origine del carbonio. Attraverso gli ugelli, il flusso e i rapporti del gas possono essere controllati con precisione per garantire una crescita uniforme dello strato epitassiale e la composizione chimica desiderata.

● Controllo della temperatura: Gli ugelli aiutano anche a controllare la temperatura all'interno del reattore epitaxy. Nell'epitassia in carburo di silicio, la temperatura è un fattore critico che colpisce il tasso di crescita e la qualità dei cristalli. Fornendo gas o gas di raffreddamento attraverso gli ugelli, la temperatura di crescita dello strato epitassiale può essere regolata per condizioni di crescita ottimali.

● Distribuzione del flusso di gas: La progettazione degli ugelli influenza la distribuzione uniforme del gas all'interno del reattore. La distribuzione del flusso di gas uniforme garantisce l'uniformità dello strato epitassiale e lo spessore coerente, evitando problemi relativi alla non uniformità della qualità del materiale.

● Prevenzione della contaminazione dell'impurità: La progettazione e l'uso corretti degli ugelli possono aiutare a prevenire la contaminazione da impurità durante il processo di epitassia. Il design adeguato degli ugelli riduce al minimo la probabilità che impurità esterne entrino nel reattore, garantendo la purezza e la qualità dello strato epitassiale.

STRUTTURA CRISTALLINA DEL FILM DI RIVESTIMENTO CVD SIC:

Proprietà fisiche di base del rivestimento SiC CVD: