GAN Supporto di grafite epitassiale per G5

Vetek Semiconductor è un suscettore di grafite epitassiale di Cina GAN professionista per il produttore e il fornitore G5. Il suscettore di grafite epitassiale GAN per G5 è un componente critico utilizzato nel sistema di deposizione chimica chimica metallo-organica (MOCVD) per la crescita di film sottili di gallio di alta qualità (GAN), svolge un ruolo cruciale nel garantire un ruolo cruciale nel garantire una temperatura uniforme a temperatura uniforme Distribuzione, trasferimento di calore efficiente e contaminazione minima durante il processo di crescita.

Caratteristiche principali del suscettore epitassiale in grafite GaN di VeTek Semiconductor per G5:

-Il massimo: il suscettore è realizzato con grafite altamente pura con rivestimento CVD, minimizzando la contaminazione dei film GAN in crescita.

-Eccellente conduttività termica: l'elevata conduttività termica della grafite (150-300 W/(m·K)) garantisce una distribuzione uniforme della temperatura attraverso il suscettore, determinando una crescita costante del film GaN.

-Bassa espansione termica: il basso coefficiente di espansione termica del suscettore riduce al minimo lo stress termico e le fessurazioni durante il processo di crescita ad alta temperatura.

-Intiness chimico: la grafite è chimicamente inerte e non reagisce con i precursori GAN, prevenendo impurità indesiderate nei film cresciuti.

-Compatibilità con Aixtron G5: il suscettore è specificamente progettato per l'uso nel sistema MOCVD di Aixtron G5, garantendo l'adattamento e la funzionalità adeguati.

Applicazioni:

LED ad alta luminosità: i LED a base di GAN offrono un'alta efficienza e una lunga durata, rendendoli ideali per l'illuminazione generale, l'illuminazione automobilistica e le applicazioni di visualizzazione.

Transistor ad alta potenza: i transistor GaN offrono prestazioni superiori in termini di densità di potenza, efficienza e velocità di commutazione, rendendoli adatti per applicazioni di elettronica di potenza.

Diodi laser: i diodi laser a base di GAN offrono elevate efficienza e lunghezze d'onda corte, rendendoli ideali per applicazioni di archiviazione e comunicazione ottiche.

Parametro del prodotto del suscettore di grafite epitassiale GAN per G5

Nota: prima del rivestimento, faremo la prima purificazione, dopo il rivestimento, eseguirà la seconda purificazione.

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