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Anello di rivestimento CVD TAC
  • Anello di rivestimento CVD TACAnello di rivestimento CVD TAC

Anello di rivestimento CVD TAC

Nell'industria dei semiconduttori, l'anello di rivestimento CVD TAC è un componente altamente vantaggioso progettato per soddisfare i requisiti impegnativi dei processi di crescita del cristallo di carburo di silicio (SIC). L'anello di rivestimento TAC CVD TAC di Vetek Semiconductor offre una resistenza eccezionale ad alta temperatura e inerzia chimica, rendendola una scelta ideale per gli ambienti caratterizzati da temperature elevate e condizioni corrosive. Ci impegniamo a creare una produzione efficiente di accessori a cristallo singolo in carburo di silicio. Pls non esitate a contattarci per ulteriori domande.

L'anello di rivestimento TAC CVD Veteksemicon è un componente critico per una crescita a singolo cristallo in carburo di silicio di successo. Con la sua resistenza ad alta temperatura, inerzia chimica e prestazioni superiori, garantisce la produzione di cristalli di alta qualità con risultati coerenti. Fidati nelle nostre soluzioni innovative per elevare i processi di crescita dei cristalli SIC PVT e ottenere risultati eccezionali.


SiC Crystal Growth Furnace

Durante la crescita dei singoli cristalli singoli in carburo di silicio, l'anello di rivestimento in carburo di TantaLum CVD svolge un ruolo cruciale nel garantire risultati ottimali. Le sue dimensioni precise e il rivestimento TAC di alta qualità consentono una distribuzione uniforme della temperatura, minimizzando lo stress termico e promuovendo la qualità dei cristalli. La conducibilità termica superiore del rivestimento TAC facilita un'efficace dissipazione del calore, contribuendo a migliorare i tassi di crescita e le caratteristiche cristalline migliorate. La sua solida costruzione e l'eccellente stabilità termica garantiscono prestazioni affidabili e una durata di servizio estesa, riducendo la necessità di frequenti sostituti e minimizzando i tempi di inattività della produzione.


L'inertezza chimica dell'anello di rivestimento TAC CVD è essenziale per prevenire reazioni indesiderate e contaminazione durante il processo di crescita dei cristalli SIC. Fornisce una barriera protettiva, mantenendo l'integrità del cristallo e minimizzando le impurità. Ciò contribuisce alla produzione di singoli cristalli singoli di alta qualità con eccellenti proprietà elettriche e ottiche.


Oltre alle sue prestazioni eccezionali, l'anello di rivestimento TAC CVD è progettato per una facile installazione e manutenzione. La sua compatibilità con le apparecchiature esistenti e l'integrazione senza soluzione di continuità garantiscono un funzionamento semplificato e una maggiore produttività.


Contare su Veteksemicon e il nostro anello di rivestimento CVD TAC per prestazioni affidabili ed efficienti, posizionandoti in prima linea nella tecnologia di crescita dei cristalli SIC.


Metodo PVT SIC CROVEL CRIDULO:



Specifica del CVD Rivestimento in carburo di tantalum Squillo:

Proprietà fisiche del rivestimento TAC
Densità 14.3 (g/cm³)
Emissività specifica 0.3
Coefficiente di espansione termica 6.3*10-6/K
Durezza (HK) 2000 HK
Resistenza 1 × 10-5Ohm*cm
Stabilità termica <2500 ℃
La dimensione della grafite cambia -10 ~ -20um
Spessore del rivestimento ≥20um Valore tipico (35um ± 10um)

Panoramica del semiconduttore Catena industria epitassia di chip:

SiC Epitaxy Si Epitaxy GaN Epitaxy


SemiconduttoreAnello di rivestimento CVD TACNegozio di produzione

SiC Graphite substrateGraphite Heating Unit testSilicon carbide ceramic processingEPI process equipment


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