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Wangda Road, Ziyang Street, contea di Wuyi, città di Jinhua, provincia di Zhejiang, Cina
Abbiamo creato un sistema di ispezione Gatekeeper dell'intero processo che copre i prodotti in entrata → In lavorazione → Prodotti finiti, garantendo che i prodotti soddisfino i severi requisiti di qualità dei semiconduttori in termini di dimensioni, purezza, condizioni superficiali e consistenza.
Il nostro sistema di tracciabilità dell'intero processo ha superato la norma ISO 9001:2015 e rigorosi controlli in loco da parte di produttori di apparecchiature per semiconduttori di fama mondiale. Attualmente forniamo stabilmente ogni mese componenti rivestiti di alta precisione ai clienti di [please fill in number] in tutto il mondo, per un totale di [please fill in number] pezzi, senza alcun reclamo da parte dei clienti causato da danni all'imballaggio o alla logistica.
SOP per l'imballaggio sottovuoto di livello semiconduttore e diagramma di flusso del processo di produzione
UN:Osserva la temperatura del processo e l'intensità della corrosione in fase gassosa. Se la temperatura del processo è inferiore a 1000 °C e prevede principalmente l'attacco a base di Cl₂/F₂ o l'epitassia convenzionale, scegliereCVD SiCper il miglior rapporto costo-prestazioni; se la temperatura del processo supera i 1200 °C e prevede atmosfere fortemente corrosive (es. crescita di monocristallini SiC PVT), si consigliaCVD TaC, che offre una resistenza superiore alla temperatura e alla corrosione. Possiamo fornire un rapporto gratuito sulle raccomandazioni di selezione in base ai parametri di processo specifici.
UN:SÌ! Per i prototipi di reverse engineering,MOQ è 1 pezzo. Per le parti semplici convenzionali, dal ricevimento del campione alla consegna della parte mappata, il tempo di consegna più rapido è approssimativo10-15 giorni lavorativi; per le parti che implicano processi di rivestimento complessi è approssimativamente20–25 giorni lavorativi. Contatta i nostri ingegneri per una valutazione rapida.
UN:Il 90% dei casi di delaminazione è causato dalla mancata corrispondenza tra il coefficiente di espansione termica (CTE) del substrato di grafite e del rivestimento, che porta alla sfaldamento per fatica in caso di riscaldamento/raffreddamento rapido. La nostra soluzione: misurare innanzitutto con precisione la curva CTE della parte originale, quindi regolare in modo specifico la densità del substrato e il gradiente della temperatura di deposizione in modo che i due CTE siano perfettamente abbinati. La forza del legame può essere migliorata oltre1,5 voltelivello convenzionale del settore.
UN:Ogni prodotto spedito viene fornito di serie con anumero di serie univoco + rapporto CoA completo. Il rapporto include: dati di ispezione CMM di dimensione critica, mappa di distribuzione dello spessore del rivestimento multipunto, valori di rugosità superficiale (Ra) e conclusioni dell'analisi di purezza del materiale (GDMS).
Telefono: +86-18069220752(Tina);+86-15988690905(Sera)
E-mail: anny@veteksemi.com