Materiali e design

Selezionare la combinazione di substrato e rivestimento corrispondente è la chiave per prevenire guasti prematuri dei componenti, ridurre la contaminazione delle particelle e massimizzare la resa dei wafer. Forniamo soluzioni di progettazione strutturale e di materiali su misura in base alla finestra di processo specifica del cliente (temperatura operativa, chimica dei gas reattivi, velocità di rampa).

Le nostre principali capacità di progettazione:

• Rigorosa corrispondenza dello stress CTE:Per cicli termici rapidi (>100 °C/min), abbiniamo esattamente le curve di temperatura CTE dei substrati di grafite ad elevata purezza e dei rivestimenti CVD, riducendo sostanzialmente il rischio di delaminazione del rivestimento e di microfessurazioni.
• Selezione del rivestimento specifico per lo scenario di processo:Rivestimento SiC CVD per ambienti epitassia Si/SiC (Epi), MOCVD e attacco al plasma; Rivestimento CVD TaC per condizioni di temperatura più elevata e fortemente corrosive (ad esempio, crescita PVT monocristallino SiC).
• Ottimizzazione della resistività controllabile e della conduttività termica:Controllo preciso della resistività di massa e della conduttività termica del substrato e del rivestimento per soddisfare specifici requisiti elettrici e di campo termico di mandrini elettrostatici RF, ESC o zone di riscaldamento.
• Controllo della fonte di contaminazione e riduzione del CoO:Gli strati di deposizione CVD ad elevata purezza sigillano densamente la grafite porosa, riducendo significativamente la perdita di particelle, la diffusione di impurità metalliche ultratracce e il rischio di degassamento ad alta temperatura.

Confronto tipico tra la selezione dei rivestimenti (guida sintetica)

Caso reale e vantaggi per il cliente (esperienza):

Un produttore leader di epitassia (Epi) SiC:Il componente originale utilizzava un rivestimento CVD TaC non corrispondente, che provocava un eccessivo stress interfacciale e frequenti microfessure ad alta temperatura. Abbiamo eseguito nuovamente le simulazioni termodinamiche e siamo passati a aSubstrato speciale in grafite ad elevata purezza abbinato al CTE + strato tampone + rivestimento SiC CVDsoluzione. Risultato: la durata media dei componenti è aumentata da 200 ore a 850 ore; la frequenza di sostituzione annua per utensile è scesa da 40 a 9 volte; Il risparmio sui costi di gestione e manutenzione di apparecchiature complete ha superato i 650.000 RMB all'anno.

Rapporto di analisi della purezza GDMS per rivestimenti TaC e SiC

Domande frequenti

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